Fig. 4. Photoelectron emission spec

Fig. 4. Photoelectron emission spectra of the solid state films of PG13 compounds.

In the next step, In order to create a structure of the highly efficient OLED, next, we have investigated the transport properties of the emissive layers PG13. Understanding of the transport properties of the emissive layers is necessary for design a particular architecture of OLED [55]. A higher mobility through the emissive layer provides the wider recombination zone, which is found to be responsible for a longer OLED lifetime and a lower drive voltage at the expense of luminance yield [56]. To estimate the mobility of the studied compounds, we have used the time of flight (TOF) method under ambient conditions. Solid films of PG13 indicate the hole mobility equal to μ = 10-3 cm2 V-1 s-1 (Fig.5a). Such hole mobility allows to use the PG13 compound as the hole-transport layer par with the traditional hole-transporting materials like N,N′-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N′-bis(phenyl)-benzidine (α-NPD) and N,N′-bis(3-methylphenyl)-N,N′-diphenyl-[1,1′-biphenyl]-4,4′diamine (TPD) [57, 58]. Our theoretical DFT predictions of the charge carrier mobility for the PG13 compound confirm a good hole-transporting property together with electron-transporting possibility. The calculated values of the hole and electron reorganization energies (λ+ and λ–, respectively) both are equal to 191 meV which is usually corresponds to the μ = 10-3 – 10-2 cm2 V-1 s-1 for the close-packing ambipolar semiconductors (in the framework of Marcus theory) [59] and is /are in a good agreement with our TOF experiment. The high values of charge carriers mobility can also be explained through the intermolecular orbitals overlap due to the close intermolecular packing [60].

Результаты (украинский) 1:

Рис. 4. Фотоелектронної викидів спектрів твердотільні фільмів PG13 сполук.На наступному кроці для того, щоб створити структуру високоефективний OLED далі, ми досліджували транспортні властивості емісійного шари PG13. Розуміння транспортні властивості емісійного шарів є необхідною для оформлення конкретної архітектури OLED [55]. Вище мобільності через емісійного шар забезпечує ширше рекомбінації зоні, яка виявилася відповідає за довший термін експлуатації OLED і нижній їзди напруги за рахунок світності прибутковість [56]. Оцінити мобільності вивчених сполук, ми використовували час польоту (розмір) метод в кімнатних умовах. Тверді фільмів PG13 вказують рухливості дорівнює μ = 10-3 см2 прорвати s-1 (Fig.5a). Такі рухливості дозволяє використовувати PG13 складені як отвір транспортних шар рівні з традиційними отвір транспортування матеріалів як N, N′-Bis(naphthalen-1-yl)-N, N′-bis (феніл) - бензидинова (α-NPD) і N, N′-bis(3-methylphenyl)-N, N′ - diphenyl-[1, 1 biphenyl] -4, 4′diamine (TPD) [57, 58]. Наші теоретичних передбачень ДПФ рухливість носіїв заряду для з'єднання PG13 підтвердити хороший отвір транспортування власності спільно з електронно транспортування можливість. Обчислювані значення отвір і електрон реорганізації енергій (λ + і λ-, відповідно) обидва дорівнюють 191 МеВ, який, як правило, відповідає на μ = 10-3-10-2 см2 прорвати s-1 для ambipolar напівпровідників впритул пакувальні (в рамках Маркус теорії) [59] і є/добре узгоджуються з нашого СПИСКУ експерименту. Також можна пояснити високих значень рухливість носіїв заряду через міжмолекулярні orbitals перекриття через тісні міжмолекулярні упаковка [60].

Результаты (украинский) 2:

Інжир. 4. фотоелектронних спектрів випромінювання твердотільного плівок сполук PG13. На наступному етапі, для того, щоб створити структуру високоефективного OLED, поруч, ми досліджували кінетичні властивості емісійних шарів PG13. Розуміння транспортних властивостей емісійних шарів необхідно для розробки Зокрема архітектура OLED [55]. Висока рухливість через емісійного шару забезпечує більш широку зону рекомбінації, яка знаходиться нести відповідальність за більш тривалий OLED життя і більш низьку напругу приводу за рахунок виходу яскравості [56]. Для оцінки рухливості досліджуваних сполук, ми використовували час методу польоту (TOF) в умовах навколишнього середовища. Тверді плівки PG13 вказують рухливість дірок дорівнює μ = 10-3 см2 В-1 с-1 (фіг.5). Таке рухливість дірок дозволяє використовувати з'єднання PG13, як отвір транспортного рівня нарівні з традиційними отворів, транспортування матеріалів, таких як N, N'-біс (нафталін-1-іл) -N, N'-біс (феніл) (-benzidine α-NPD) і N, N'-біс (3-метилфеніл) -N, N'-дифеніл [1,1'-бифенил] -4,4'diamine (ТПД) [57, 58]. Наші теоретичні DFT прогнози рухливості носіїв заряду для PG13 з'єднання підтвердити гарну властивість дірки транспортування разом з електронно-транспортування можливості. Розрахункові значення дірок і електронів енергій реорганізації (λ + і λ- відповідно) обидва рівні 191 меВ зазвичай відповідає μ = 10-3 - 10-2 см2 В-1 S-1 для закриття -упаковка Амбіполярна напівпровідників (в рамках теорії Маркуса) [59] та / знаходяться в доброму згоді з нашою TOF експерименту. Високі значення носіїв заряду мобільності також можна пояснити міжмолекулярних орбіталі перекриваються через близьке міжмолекулярних упаковки [60].