The first transistor structures wer

The first transistor structures were formed by alloying or diffusion in bulk single-crystal Ge or Si, but with the development of “planar technology” in the early 1960s the possibility of forming high frequency transistors and integrated circuits using epitaxial semiconductor films was realized.

Результаты (русский) 1:

Первый транзистор структуры были сформированы легирования или диффузии навалом одиночн кристалл Ge или Си, но с развитием «планарной технологии» в начале 1960-х была реализована возможность формирования высокочастотных транзисторов и интегральных схем с помощью эпитаксиальных полупроводниковых пленок.

Результаты (русский) 2:

Первые транзисторных структурах были образованы путем легирования или диффузии в объемной монокристаллического Ge или Si, но с развитием "планарной технологии" в начале 1960-х возможность формирования высоких транзисторов частот и интегральных схем с использованием эпитаксиальных полупроводниковых пленок была реализована.