Oxygen concentration is known to in

Oxygen concentration is known to influence many silicon wafer properties, such as wafer strength, resistance to thermal warping, minority carrier lifetime, and instability in resistivity

Результаты (русский) 1:

Концентрация кислорода, как известно, влияют многие свойства пластин кремния, например вафельные прочность, устойчивость к тепловой деформации, время жизни меньшинств и нестабильности в удельное сопротивление

Результаты (русский) 2:

Концентрация кислорода, как известно, влияет на многие кремниевой пластине свойства, такие как прочность пластин, устойчивости к термическому короблению, жизни неосновных носителей, и нестабильности удельного сопротивления

Результаты (русский) 3:

концентрация кислорода, как известно, влияние многих кремниевых пластин свойства, такие как подложка сила, сопротивление тепловой искривление перевозчик жизни меньшинств и нестабильности в сопротивления