Sadece 20na kapatma akımı.Tarafında

Sadece 20na kapatma akımı.
Tarafından desteklenmektedir 9v pil, kullanabilirsiniz 2 li-ion pil oluşturmak için 8.4V pil uzun süre güç.
ölçüm bipolar transistör mevcut amplifikasyon faktörü ve taban- yayıcı eşik gerilimi.
Otomatik test pin bir bileşenin, ve ekran 128* 64 lcd arka.
ölçmek kapısı ve kapı kapasitans MOSFET eşik gerilimi.
Bir- düğme operasyonu, otomatik kapanma, sadece 20na kapatma akımı.
Eeverse delinme gerilimi az 4.5V, zener diyot tespit edilebilir.
ölçebilirsiniz bir tek diyot ters kapasitans.
2uf daha kapasitörler can anda ölçmek eşdeğer seri direnç esr değerleri.
Ile ana- yayıcı eşik gerilimi ve yüksek akım amplifikasyon faktörü tanımlamak için darlington transistörler.
Aynı anda ölçmek iki direnç ve direnç sembolü görüntülenir. Görüntülenen doğru bir ondalık değer 4.
Algılayabilir diyot, MOSFET koruma diyotu amplifikasyon katsayısı ve taban belirlemek için verici diyot ileri önyargılı gerilim.
Otomatik algılama npn ve pnp transistörler, n- kanallı ve p- kanal mosfet, transistör( dahil çift diyot), tristör, diyot, direnç ve kondansatör ve diğer bileşenler.

Результаты (русский) 1:

Только 20 pmna завершение текущей.Питание от 9В батареи, 2 можно использовать для создания 8.4 V батарея Li-ion батарея долгое время.измерение коэффициент усиления напряжения порога база эмиттер биполярного транзистора и доступны.Автоматический тест контактный компонент и отображать 128 * 64 ЖК сзади.измерить двери и ворота емкость MOSFET порогового напряжения.Нажатием одной кнопки операция, автоматическое выключение, только 20 pmna завершение текущей.Eeverse пункция напряжения менее 4,5 V, Стабилитрон может быть обнаружено.Вы можете масштабировать емкость обратного диода.мера больше значения серии esr сопротивления Конденсаторы могут теперь эквивалент 2uf.С усиление тока и эмиттера главного пороговое напряжение фактора для определения транзисторы дарлингтона.На же время мера два сопротивления и сопротивления символ отображается. Отображается правильное десятичное значение 4.Обнаружить диод, коэффициент усиления диод защиты MOSFET и базу, чтобы определить, что передатчик диод вперед предвзятым напряжения.Авто обнаружение npn и pnp Транзисторы, n- и p канальные mosfet, транзистор (включая двойной диод), Тиристор, диод, резисторы и конденсаторы и других компонентов.

Результаты (русский) 2:

Только 20 устанавливает текущие выключение.
Опираясь на 9В батареи, можно использовать 2 литий-ионный 8.4V аккумулятор в течение длительного времени возможность создавать батареи.
Измерительный ток коэффициент усиления биполярного транзистора и обеспечения базы эмиттер пороговое напряжение.
Автоматически проверить штифт компонента, и дисплей 128 * 64 LCD задний.
измерения дверь и ворота емкость порогового транзистор напряжения.
Одно- операции кнопку, автоматическое отключение, только 20 устанавливает текущий выключения.
минимальное напряжение пробоя, если Эва 4.5V стабилитрон может быть определена.
Вы можете измерить один диод обратного емкость.
Для измерения 2uf больше конденсаторы времени жизни эквивалент последовательное сопротивление ESR значения.
С анализирует Дарлингтон излучатель транзисторов порог напряжения и высокий текущий коэффициент усиления, чтобы определить.
отображает два сопротивления и символом сопротивления для измерения одновременно. Право, которое отображается десятичное значение 4
можно обнаружить диод MOSFET Диод защиты светодиода напряжение прямого смещения, чтобы определить коэффициент усиления и базу.
Автоматическое обнаружение PNP и транзисторы NPN, н-канала и р-канала полевого транзистора (в том числе двойных диодов), тиристоров, Диод, резистор и конденсатор, и другие компоненты.

Результаты (русский) 3:

sadece 20na kapatma ак? м? ndan desteklenmektedir напряжение 9V.
Taraf, пил, пил kullanabilirsiniz 2 - олу. turmak я з в 8.4v пил узун S - вновь г üç.
- L çü м биполярное transist - R mevcut amplifikasyon fakt - ve табан - ура, C, E ишик gerilimi.
otomatik испытание - бир желчи. enin, ve экран 128 * 64 жк -.
- л и мек звп?? ve звп, kapasitans MOSFET E ишик gerilimi.
бир - D üğ меня operasyonu, otomatik kapanma,sadece 20na kapatma ак? м? delinme.
eeverse gerilimi аз 4.5v, diyot зенера tespit edilebilir.
- л и ebilirsiniz бир - тек diyot терс kapasitans.
2uf daha kapasit - rler может анда - л и мек E. ваше имя - де diren з ESR - де - ваше имя erleri сери.
иль - ана - ура, c? E ишик gerilimi Ve y - ksek ак, м amplifikasyon fakt - тан, я и в mlamak дарлингтон transist - rler.
айн - 10 - я з мек и ики diren з ve diren з sembol - g - NT - lenir.г - lenen NT - сделать ваше имя ru бир ondal, K - де - ваше имя - 4.
AIG, layabilir diyot, MOSFET koruma diyotu amplifikasyon katsay?? ve табан belirlemek я з в verici diyot ileri - nyarg? я? gerilim.
otomatik AIG, лама npn ve нпп transist - rler, N - kanall айдын ve P - канал MOSFET, transist - R (dahil з ift diyot), тристан - R, diyot, diren з ve kondansat - ве - ди - ваше имя - желчь и enler.