The tyranny of numbers - the proble

The tyranny of numbers - the problem of handling many discrete electronic devices - began to concern the scientists as early as 1950. The overall reliability of the electronic system is universally related to the number of individual components.
A more serious shortcoming was that it was once the universal practice to manufacture each of the components separately and then assemble the complete device by wiring the components together with metallic conductors. It was no good: the more components and interactions, the less reliable the system.
The development of rockets and space vehicles provided the final impetus to study the problem. However, many attempts were largely unsuccessful.
What ultimately provided the solution was the semiconductor integrated circuit, the concept of which has begun to take shape a few years after the invention of the transistor. Roughly between 1960 and 1963 a new circuit technology became a reality. It was microelectronics development that solved the problem.
The advent of microelectronic circuits has not, for the most part, changed the nature of the basic functional units: microelectronic devices are also made up of transistors, resistors, capacitors, and similar components. The major difference is that all these elements and their interconnections are now fabricated on single substrate in single series of operations.
Several key developments were required before the exciting potential of integrated circuits could be realized.
The development of microelectronics depended on the invention of techniques for making the various functional units on or in a crystal of semiconductor materials. In particular, a growing number of functions have been given over the circuit elements that perform best: transistors. Several kinds of microelectronic transistors have been developed, and for each of them families of associated circuit elements and circuit patterns have evolved.
It was the bipolar transistor that was invented in 1948 by John Bardeen, Walter H. Brattain and William Shockley of the Bell Telephone Laboratories. In bipolar transistors charge carries of both polarities are involved in their operation. They are also known as junction transistors. The npn and pnp transistors make up the class of devices called junction transistors.
A second kind of transistor was actually conceived almost 25 years before the bipolar devices, but its fabrication in quantity did not become practical until the early 1960's. This is the field-effect transistor. The one that is common in microelectronics is the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. The term refers to the three materials employed in its construction and is abbreviated MOSFET.
The two basic types of transistor, bipolar and MOSFET, divide microelectronic circuits into two large families. Today the greatest density of circuit elements per chip can be achieved with the newer MOSFET technology.

Результаты (русский) 2:

Тирания чисел - проблема обработки большого количества дискретных электронных устройств - стали относиться ученых еще в 1950 году общая надежность системы электронного универсально относятся к количеству отдельных компонентов.
более серьезным недостатком было то, что когда-то универсальной практикой для изготовления каждого из компонентов по отдельности, а затем собрать полную устройство, электропроводка компоненты вместе с металлическими проводниками. Это никуда не годится:. Чем больше компонентов и взаимодействий, менее надежны системы
развития ракет и космических аппаратов при условии, что окончательное импульс для изучения проблемы. Тем не менее, многие попытки были безуспешными.
Что, в конечном счете при условии, решение было полупроводниковой интегральной схемы, концепция, которая начала складываться несколько лет после изобретения транзистора. Примерно между 1960 и 1963 Новая технология схемы стал реальностью. . Это было развитие микроэлектроники, что решить эту проблему
появление микроэлектронных схем не имеет, по большей части, изменили характер основных функциональных блоков: микроэлектронные устройства также из транзисторов, резисторов, конденсаторов и подобных компонентов. Основное различие заключается в том, что все эти элементы и их взаимосвязи в настоящее время на одной подложке в одной серии операций.
Некоторые ключевые события должны были до перспективными интегральных схем могут быть реализованы.
Развитие микроэлектроники зависит от изобретения методов для делая различные функциональные блоки на или в кристалле полупроводниковых материалов. В частности, все большее число функций были отданы элементов схемы, которые выполняют лучше: транзисторы. Несколько видов микроэлектронных транзисторов были разработаны и для каждого из них семьи, связанных элементов схемы и модели схемы эволюционировали.
Это было биполярный транзистор, который был изобретен в 1948 году Джон Бардин, Уолтер Х. Брэттеном и Уильям Шокли в Bell Telephone лаборатории. В биполярных транзисторов носителей заряда обоих полярностей, участвующих в их работе. Они также известны как соединительные транзисторов. NPN и PNP транзисторы составляют класс устройств, называемых распределительные транзисторы.
Второй вид транзистора на самом деле задумал почти 25 лет, прежде чем биполярных устройств, но его изготовление в количестве не стал практическим до начала 1960-х годов. Это полевой транзистор. Тот, который является общим в микроэлектронике является металл-оксид-полупроводник полевой транзистор. Термин относится к трем материалов, используемых в строительстве и сокращенное MOSFET.
Два основных типа транзистора, биполярных и МОП-транзистора, разделите микроэлектронных схем на две многодетных семей. В настоящее время наибольшая плотность элементов схемы на кристалле может быть достигнуто с новой технологией MOSFET.

Результаты (русский) 3:

цифровой обработки - авторитарной электронного оборудования, многие отдельные проблемы начали уделять внимание ученые еще в 1950.надежность электронной системы в целом является число отдельных компонентов универсального отношения.
еще более серьезным недостатком является то, что он однажды производства, соответственно, каждый компонент общей практики и снова сборки комплектное устройство связи элемент и металлический проводник.Это не хорошо: больше Ассамблеи и взаимодействия, не надежной системы.
ракетных и космических аппаратов исследования проблем развития обеспечивает наконец власть.Однако, многие попытки были безуспешными.
, в конечном счете, обеспечивает решение является полупроводниковая микросхема, его концепция начал изобретение транзистора несколько лет после формирования.примерно в 1960 и 1963 новой схемы технологии стать реальностью.Это Развитие микроэлектроники технологии для решения этой проблемы.
микроэлектронные схемы не появился, и, что наиболее важно, изменения характера основных функций подразделений также: микроэлектронных устройств из транзисторов, резисторов, конденсаторов, и аналогичные компоненты.основное различие заключается в том, что все эти элементы и их взаимосвязь является в настоящее время операции в одной серии единого субстрата.
несколько ключевых событий, в интегральных захватывающие потенциал может достичь желаемого.
микроэлектроники развитие зависит от технологии, изобретения, или в один кристалл полупроводникового материала для каждой функции группы.в частности, все больше и больше функций есть элемент цепи для оптимального: транзисторов.микроэлектроники транзистор уже разработала несколько, и они все семьи соответствующих цепь элементов и схеме эволюции.
это биполярный транзистор, в 1948 约翰巴丁 изобретения, Уолтер H. Брэттон и 威廉肖克利 в лаборатории Белл телефон.биполярный транзистор перевозчиков в полярных участвуют в их операции.Они также называют узел транзистор.В состав npn и НПП транзистор транзистор устройство называется узел типа класса.
второй беременности транзистор фактически почти 25 лет назад биполярного устройства, но в начале 1960 - х годов объем производства до тех пор, пока не станет реальностьюЭто полевой транзистор.Это является общей микроэлектронные технологии является металло - оксидных полупроводников полевой транзистор.это слово означает три материалов, используемых в ее строительство и исключен MOSFET.
транзистор два основных типа, биполярных и MOSFET микроэлектронные схемы, разделить на две семьи.сегодня цепь элементов, каждый кусок максимальная плотность может использовать новые технологии реализации MOSFET.