Schematic of the electronemissionpr

Schematic of the electronemission
process on diamondoid
SAM surfaces. EF is the Fermi level
of the metal substrate, sitting in the
energy gap of diamondoid. The
vacuum level (EVacuum) is below
the conduction-band minimum of
the diamondoid, a characteristic of
NEA. The dotted red line depicts
the high-probability electron emission.
First, electrons in metal substrates are excited
by photons into unoccupied states above EF.
Second, the excited electrons effectively thermalize
in the metal, producing more electrons with lower
energy. Third, electrons with energy above the
conduction band minimum are transferred to
diamondoid moieties. These electrons further lower
their energies by exciting phonons in the molecules,
and they accumulate at the bottom of the
conduction band. Finally, because of NEA, electrons
accumulated at the bottom of the conduction band
emit into vacuum spontaneously and generate a peak at the low–kinetic energy threshold. Electron
emission takes place also at high–kinetic energy levels, but with much lower photoelectron yield.
Although this scenario roughly explains the existence of the electron-emission peak, more theoretical
understanding is needed to fully explain the results.

Результаты (украинский) 1:

Схематичний на electronemissionмирний процес у diamondoidСем поверхонь. EF є рівня ферміметалеві підкладки, сидячи в назабороненої diamondoid. Навакуумні рівня (EVacuum), що знаходиться нижчепровідності мінімумdiamondoid характеристикоюНЕА. Зображує пунктирною червоною лінієювисока ймовірність електрон викидів.По-перше, збуджені електрони в металевих субстратівоглянуто фотони в Штатах незайняті над EF.По-друге, збуджені електрони ефективно thermalizeв металі виробляючи більше електронів забезпечує оцінкуенергії. Третій, електрони з енергією вище напередаються провідності мінімальніdiamondoid moieties. Отже ці електрони далі нижчесвою енергію на захоплюючі фононами в молекулах,і вони накопичуються в нижній частині впровідності. Нарешті, через АЯЕ, електронинакопичені в нижній частині у зону провідностівипромінюють в вакуумі спонтанно і генерувати пік на порозі low Кінетична енергія. Електронвикидів відбувається також на високих Кінетична енергія рівнях, але з набагато більш низької прибутковості фотоелектронної.Хоча цей сценарій приблизно пояснює існування електронно викидів піку, більш теоретичнийрозуміння необхідності повністю пояснити результати.

Результаты (украинский) 2:

Схема electronemission
процесу на алмазоідних
поверхнях SAM. EF є рівень Фермі
металевої підкладки, сидячи в
енергетичній щілини алмазоідних.
Рівень вакууму (EVacuum) знаходиться нижче
зони провідності мінімуму
на алмазоідних, характеристика
СВА. Пунктирна червона лінія зображує
з високою ймовірністю емісії електронів. По
перше, електрони в металевих підкладках порушуються
фотонами в незаповнені станів вище EF. По
друге, збуджені електрони ефективно термалізовать
в металі, виробляючи більше кількість електронів з більш низькою
енергією. В- третіх, електрони з енергією вище
мінімуму зони провідності передаються
алмазоідних фрагментами. Ці електрони ще більше знизити
свою енергію шляхом порушення фононів в молекулах,
і вони накопичуються в нижній частині
зони провідності. І, нарешті, з - за СВА, електрони
накопичуються на дні зони провідності
випромінювати в вакуум спонтанно і генерувати пік при низькому порозі-кінетичної енергії. Електронна
емісія відбувається також при високих кінетичну рівнів енергії, але з набагато більш низьким виходом фотоелектронів.
Хоча цей сценарій приблизно пояснює існування піку електронної емісії, більш теоретичне
розуміння необхідно , щоб повністю пояснити результати.