Silicon's larger band gap permitted

Silicon's larger band gap permitted device operation at higher temperatures (important for power devices) and thermal oxidation of silicon produced a non-water-soluble stable oxide (as compared to germanium 's oxide) suitable for passing pn junctions, serving as an "impermeable 5 'diffusion mask "for common dopants, and as insulator coating for conductor overlayers.
Oxygen concentration present influences many silicon wafer properties, such as wafer strength, resistance to thermal warping (jump), minority carrier lifetime and instability in resistivity.
The presence of oxygen contributes to both beneficial and detrimental effects. The determental effects can be reduced if thc oxygen is maintained at less than 38 ppms. Thus, the oxygen range * of the wafer present should be controlled. The results achieved with silicon are great.

Результаты (русский) 1:

Кремния больший разрыв диапазона разрешенных устройств операции при более высоких температурах (важно для устройств управления питанием) и термического окисления кремния производства воды растворимый стабильный оксид (по сравнению с германием в оксид) подходит для передачи соединений pn, выступающей в качестве «непроницаемыми 5 ' маска диффузии «для общего активаторов и как диэлектрик покрытие для дирижера достижимую. Концентрация кислорода в настоящее время влияет на многие свойства пластин кремния, например Вафля прочность, устойчивость к тепловой деформации (прыжок), время жизни меньшинств и нестабильности в удельным сопротивлением. Наличие кислорода способствует как полезных, так и пагубные последствия. Determental эффекты можно уменьшить, если ТГК кислорода поддерживается на менее чем 38 ПМП. Таким образом, диапазон кислорода * пластин следует контролировать настоящее время. Результаты, достигнутые с кремния являются большими.

Результаты (русский) 2:

Больше ширина запрещенной зоны допускается работа устройства кремниевых при более высоких температурах (важно для силовых устройств) и термического окисления кремния производится без водорастворимый стабильный оксид (по сравнению с германий 's оксид) подходит для прохождения р - п переходов, выступающей в качестве "непроницаемой 5 'диффузионный маска "для общих легирующих добавок, а также в качестве изолятора покрытия для проводников overlayers.
концентрация кислорода , присутствующего влияет на многие кремниевых пластин свойства, такие как прочность пластин, устойчивости к термическому короблению (перехода), время жизни неосновных носителей и нестабильности удельного сопротивления.
наличие кислород способствует как полезных и вредных эффектов. Эти determental эффекты могут быть уменьшены , если THC кислорода поддерживают на уровне менее 38 ПМП. Таким образом, диапазон кислорода * пластины настоящее время следует контролировать. Результаты , достигнутые с кремнием велики.

Результаты (русский) 3:

кремний крупных ионизация допускается устройство операции при высоких температурах (важно для власти устройств) и термического окисления силиконовой подготовила не растворяется в воде стабильной азота (по сравнению с германий "S азота) подходит для прохождения - перекрестки, выступать в качестве "непроницаемых 5" распространения маску" за общие dopants, и как утеплитель на покрытие для дирижера overlayers.концентрация кислорода в настоящее время влияет на многие кремниевых пластин свойства, такие как подложка сила, сопротивление тепловой деформации (перейти), перевозчик жизни меньшинств и нестабильности в сопротивления.присутствия кислорода способствует как полезные, так и отрицательные последствия.в determental последствия можно уменьшить, если тгк кислорода поддерживается на уровне менее 38 пмп.таким образом, кислород круг * вафли должна быть под контролем.результаты, достигнутые с силиконовой велики.