TEXT 4 Translate into Russian using

TEXT 4 Translate into Russian using a dictionary DOPING The introduction of impurities into the starting material (a wafer or epitaxial layer) by diffusion at high temperatures is still the basic method of doping of semiconductors aimed at creating diode and transistor structures. Diffusion can be total or overall, and selective local. In the first case, diffusion occurs over the entire surface of the slice, and in the second case only in the definite portions of the slice through the windows in the mask such as the silicon oxide film. overall diffusion produces a thin diffused layer on the wafer surface that differs from the epitaxial layer the inhomogeneous distribution ofan impurity in depth by In local diffusion the impurity penetrates not only into the wafer bulk at right angles to the wafer plane but also spreads over parallel to the wafer plane that is under the mask. As a result of this lateral diffusion, the pn-junction portion that extends outward becomes protected by the oxide. The relation between the depths of lateral and "vertical" diffusions depends on a number of factors including the diffusion layer thickness L Diffusion can be performed once and repeatedly. For example, in the first stage of diffusion, it is possible to dope the starting n-type slice with an acceptor impurity to produce p-layer and then the second stage to drive a donor impurity a into the player to a smaller depth and thus form three-layer structure. So a diffusion can be of the double and the triple type In conducting multiple diffusion must see that the concentration of every one new impurity being introduced exceeds the preceding impurity concentration, otherwise the type of conductivity will remain the same and hence, the pn-junction will not be formed The impurity concentration in silicon or any other starting material cannot be infinitely large: it has upper limit determined by the parameter called the solid an solubility of an impurity

Результаты (русский) 1:

ТЕКСТ 4 перевести на русский используя словарь ДОПИНГ Введение примесей в исходный материал (вафли или эпитаксиального слоя) путем диффузии при высоких температурах до сих пор является основной метод легирования полупроводниковых приборов, направленные на создание структур диодов и транзисторов. Распространение может быть полной или общего и селективный местных. В первом случае диффузии происходит по всей поверхности среза и во втором случае только в определенной части среза через окна в маске такие пленки оксида кремния. общее распространение производит рассеянный тонкий слой на поверхности пластин, которая отличается от эпитаксиального слоя неоднородное распределение ОФАН примеси в глубине в местных диффузии примесей проникает не только в вафельные основная под прямым углом к плоскости пластин, но также распространяется на параллельной плоскости пластин, что под маской. В результате этой поперечной диффузии часть pn перехода, которая распространяется наружу становится защищены оксида. Связь между глубины бокового и «вертикальной» диффузий зависит от целого ряда факторов, включая толщина слоя диффузии, который диффузии L может быть выполнена один раз и неоднократно. Например, на первом этапе диффузии, возможна допинг начальный фрагмент n типа с акцепторной примеси производить p слой, а затем второй этап водить примесью доноров в игрока на меньшую глубину и таким образом форма трехслойные структуры. Таким образом диффузии может быть двойной и тройной типа в проведении нескольких диффузии должны видеть, что концентрация каждого один из новых примесей внедряются превышает предыдущий концентрации примесей, в противном случае тип проводимости останется то же самое и следовательно, не сформируется pn перехода не может быть бесконечно большой концентрации примесей кремния или любой другой материал, начиная : она имеет верхний предел определяется параметр, называемый твердых растворимости примесей

Результаты (русский) 2:

ТЕКСТ 4 Перевести на русский язык с помощью словаря легирование введение примесей в исходном материале (вафельный или эпитаксиальный слой) путем диффузии при высоких температурах до сих пор является основным методом легирования полупроводников, направленных на создание диодных и транзисторных структур. Диффузия может быть полной или в целом, и избирательное местное. В первом случае, диффузия происходит по всей поверхности среза, а во втором случае только в определенных участках среза через окна в маске, такие как пленка оксида кремния. общая диффузия производит тонкий рассеянное слой на поверхности пластины, которая отличается от эпитаксиального слоя неоднородного распределения вбольшей примеси в глубину путем в локальной диффузии примеси проникает не только в объеме пластины под прямым углом к ​​вафельного плоскости, но и распространяется параллельно вафля плоскость, которая находится под маской. В результате этого латеральной диффузии, ПШ-узловой части, которая проходит наружу становится защищена окисла. Соотношение между глубинами латерального и "вертикальных" диффузионных зависит от ряда факторов, в том числе диффузионной толщины слоя L Diffusion может быть выполнена один раз, а несколько раз. Например, на первой стадии диффузии, можно легировать начальный срез п-типа с акцепторной примесью с образованием п-слой, а затем на второй стадии, чтобы вбить примесь-доноров в игрока на меньшую глубину и, таким образом, форма трехслойная структура. Таким образом, диффузия может быть двойной и тройной типа При проведении множественной диффузии должен видеть, что концентрация каждого из новой примеси внедряются превышает предшествующую концентрацию примеси, в противном случае тип проводимости останется прежним, и, следовательно, рп-переход не будет образовываться концентрация примеси в кремнии или любого другого исходного материала не может быть бесконечно большим: он верхний предел определяется параметром называется твердый к растворимости примеси

Результаты (русский) 3:

текст 4 переводят на русский с помощью словаря допинг - введение примесей в исходного материала (или эпитаксиальные пластины слоя) путем распространения при высоких температурах, все еще остается основным методом допинг полупроводников, направленные на создание диод и транзисторных структур.распространение может быть полностью или в целом и отдельных местных.в первом случае, распространения происходит на всей поверхности кусок, а во втором случае только в определенные части кусок через окна в маске, таких, как диоксид кремния фильм.общее распространение производит тонкой распыляется слой на поверхности пластин, которая отличается от эпитаксиальные слой в разнородных распределение является примеси в глубоко в местных технологий скверны, проникает не только в вафельные массовых перпендикулярно плоскости, но также распространяется на вафли параллельно с вафельной самолет, что под маской.в результате этого горизонтального распространения, PN - часть, которая выходит наружу, становится защищены азота.связи между глубины бокового и "вертикальной" распространения зависит от ряда факторов, включая распространение толщина слоя L распространения могут проводиться один раз и неоднократно.например, на первом этапе распространения, возможно наркотики отправной n-type кусок с акцептор примеси производить p-layer, а затем на втором этапе водить донора примесей в игрока небольшая глубина и, таким образом, формы трехуровневой структуры.так что распространение может быть двойной и тройной типа в проведении многочисленных распространения должны видеть, что концентрация каждого из новых примеси вводится превышает предыдущий примеси концентрации, в противном случае типа проводимость останется тем же, и, следовательно, и соединение не будет создана скверны, концентрация в силиконовой или любого другого исходного материала не быть бесконечно большой: это верхний предел определяется параметром "твердые как растворимость примеси