The electronic properties of diamon

The electronic properties of diamond-based materials are
determined by the types and amounts of naturally present
dopants. For instance, the p-semiconductor properties of
natural diamond are controlled by trace amounts of boron.2
Doping also changes the conductivity of artificial CVD
diamond dramatically.3 One of the unique properties of
natural hydrogen-terminated diamond is its pronounced
negative electron affinity (NEA),4 which reveals its potential
for electronic devices such as field-effect transistors and
electron emitters.5 In contrast to p-type diamond, the
properties of n-type diamond remain almost unexplored,
since the preparation of this material doped with donor atoms
(O, S, N, P, etc.) is still problematic;2 n-doping enhances
the electron-emitting properties of diamond.6
Naturally occurring diamondoids represent hydrogenterminated
nanodiamonds with well-defined particle sizes and
shapes.7-9 We recently found that diamondoid derivatives
deposited on noble metal surfaces display NEA similar to
that of a hydrogen-terminated diamond: a well-ordered selfassembled
monolayer of [121]tetramantane-6-thiol deposited
on a gold surface behaves as a monochromatic electron
emitter with up to 70% electron yield.10,11 Analogous to bulk
diamond, we expect that n-doping will enhance the electronemitting
properties of nanodiamonds as well. Our recent
theoretical study suggests that replacement of the CH2
moieties of diamondoid with heteroatoms (internal doping)

Результаты (русский) 1:

Электронные свойства материалов на основе алмазов являютсяопределяются типы и количество естественным образом присутствуютактиваторов. Например p полупроводниковые свойстванатуральный алмаз контролируются следовые количества boron.2Давать допинг также изменяется проводимость искусственных CVDалмазные dramatically.3 одним из уникальных свойств изнатуральный алмаз водорода завершенной является его выраженнымотрицательный Энергия сродства к электрону (АЯЭ), 4, который раскрывает свой потенциалдля электронных устройств, таких как транзисторы field - effect иэлектрон emitters.5 в отличие от p типа алмаз,свойства n типа алмазов остаются практически неисследованной,После подготовки этого материала, легированного атомы доноров(O, S, N, P, и т.д.) по-прежнему проблематично; 2 n допинг повышаетэлектрон излучающих свойств diamond.6Естественно происходя diamondoids представляют hydrogenterminatedнаноалмазов с четко определенными частиц размерами иShapes.7-9 мы недавно обнаружили, что diamondoid производныехранение на благородный металл поверхности дисплея Неа похож наводород завершенной алмаза: хорошо распорядился selfassembledоднослойная [121] tetramantane-6-тиоловых на хранениена золотой поверхности ведет себя как монохромные электронизлучатель с до 70% электрон yield.10,11 подобие наваломАлмаз, мы ожидаем, что n допинг усилит electronemittingсвойства также наноалмазов. Наши недавниеТеоретическое исследование свидетельствует о том, что замена CH2Постановление diamondoid с гетероатомами (внутренние допинг)

Результаты (русский) 2:

Электронные свойства алмаза на основе материалов
определяется типами и количествами естественно присутствующих
присадками. Например, р-полупроводниковые свойства
природного алмаза контролируются следовых количеств boron.2
допингом также изменяет проводимость искусственного CVD
алмаза dramatically.3 Одним из уникальных свойств
природного водорода с концевыми алмаза является выраженным
отрицательным электронным сродством ( NEA), 4 , который раскрывает свой ​​потенциал
для электронных устройств , таких как полевых транзисторов и
электронов emitters.5 В отличие от р-типа алмаза, то
свойства п-типа алмаза остаются практически неизученными,
так как подготовка этого материала , легированного донором атомы
(O, S, N, P и т.д.) по - прежнему проблематично; 2 н-легирование усиливает
эмитирующих электроны свойства diamond.6
встречающихся в природе diamondoids представляют hydrogenterminated
наноалмазов с четко определенными размерами частиц и
shapes.7-9 мы недавно обнаружили , что алмазоиды производные ,
осажденные на благородных металлических поверхностях отображения NEA похож на
что из водорода с концевыми бриллианта: хорошо упорядоченное selfassembled
монослой [121] тетрамантан-6-тиол , осажденного
на поверхности золота ведет себя как монохроматическое электронного
эмиттера с до до 70% электрона yield.10,11 по аналогии с насыпной
алмаза, мы ожидаем , что п-легирование повысит electronemitting
свойства наноалмазов , а также. Наше недавнее
теоретическое исследование предполагает , что замена CH2
фрагментов алмазоид с гетероатомами (внутренний допинг)

Результаты (русский) 3:

электронные свойства алмазный материаловопределяются виды и размеры, естественно, присутствуютdopants.например, p-semiconductor свойствабриллиантов контролируются следы бора.допинг также изменения проводимость искусственных кпалмаз резко 3. одним из уникальных свойствприродные водород прекращено бриллиант его явныенегативные электрон родство (аяэ), 4, который раскрывает свой потенциалдля электронных устройств, таких как field-effect транзисторов иэлектрон излучателей. 5, в отличие от p-type алмазов,свойства n-type алмазов остаются почти неизученныепосле подготовки этого материала забиты с донорами атомов(о, S, азота, фосфора и т.д.) по - прежнему является проблематичным; 2 n-doping.электрон с свойства алмазов.естественно происходящих diamondoids представляют hydrogenterminatednanodiamonds с четко определенными частиц по размерам иshapes.7-9 недавно мы обнаружили, что diamondoid производныена благородный металл поверхности дисплея аяэ, аналогичныеэто водородная прекращено алмазов: упорядоченное selfassembledмонослой [121] tetramantane-6-thiol на хранениена золотую поверхность ведет себя как монохромный электроновэмиттер до 70% доходность аналогичных емкостях 10,11 электронов.даймонд, мы ожидаем, что n-doping повысит electronemittingсвойства nanodiamonds также.наши последниетеоретические исследования свидетельствуют о том, что смена CH2премии от diamondoid с heteroatoms (внутренние допинг)