4. Driving characteristic and high

4. Driving characteristic and high voltage endurance bias technology of power transistor
The power transistor adopts the ramp current drive, the driving current will increase with the output power,
when FB is 0, the current of OB is about 40mA, when FB is 6V, the current of OB is about 120 mA, and the
driving power consumption will decrease remarkably when the output is low.
The interior of IC integrates the particular bias technology, when the power transistor is shut, the output of
OB will be pulled down to the ground, meanwhile, it will bias the output of OE to 1.5V or so, bias the emitter
junction, accelerate the decreasing speed of Ic current, expand the effective safe working area, the switching
transistor affords the reverse voltage CB, therefore, the endurance characteristic of the switching transistor can
be up to 700V. For more detail information for the voltage endurance characteristic of the switching transistor,
please refer to the relevant technical data. The bias waveform is shown as follows:

Результаты (русский) 1:

4. вождение характерные и высокого напряжения выносливость смещения Технология силовой транзистор Силовой транзистор принимает текущий диск рамп, вождение текущего увеличится с выходной мощностью, при 0, FB ток OB о 40mA, когда FB 6V, ток Обь около 120 мА и вождение потребление электроэнергии будет уменьшаться удивительно когда выходных данных является низким. Интерьер IC интегрирует частности диагональной технологии, когда выключен транзистор питания, выход OB будет потянул вниз на землю, тем временем, он будет смещения вывода OE 1,5 в или около того, предвзятость излучатель Джанкшен, ускорить снижение тока Ic, разверните эффективной безопасной рабочей области, переключение транзистор дает обратное напряжение CB, поэтому, выносливость, характерные для коммутационного транзистора достигать 700V. Более подробную информацию для напряжения выносливость, характерные для коммутационного транзистора, Пожалуйста, обратитесь к соответствующим техническим данным. Смещение сигнала отображается следующим образом:

Результаты (русский) 2:

4. Вождение характерный и высокого напряжения смещения технологии выносливость силового транзистора
Транзистор питания принимает текущий диск рампы, текущее вождения увеличится с выходной мощностью,
при ФБ 0, ток OB о 40 мА, когда FB 6В, ток OB составляет около 120 мА, а
за рулем энергопотребление снизится замечательно, когда выход является низким.
Интерьер IC объединяет конкретную технологию смещения, когда силовой транзистор закрыть, выход
OB будет снесен в земля, между тем, оно будет смещения выход OE до 1,5 или около того, смещения эмиттера
переход, ускорить уменьшения скорости Ic тока, расширить эффективное безопасную рабочую область, переключение
транзистора дает обратный CB напряжения, поэтому, выносливость характеристика переключающий транзистор может
быть до 700В. Для получения более подробной информации подробно на напряжение выносливость характеристики транзистора переключения,
пожалуйста, обратитесь к соответствующим техническим характеристикам. Сигнал смещения, как показано далее:

Результаты (русский) 3:

4.за рулем характеристики и высоковольтного выносливость предвзятости технологии власти транзистор
власть транзистор принимает аппарель нынешний диск, за рулем возрастет с нынешних выходной мощности,
когда FB - 0, течения оби о 40ma, когда FB - 6v, течения оби около 120 оэт и движущей силы. на удивление, когда произойдет сокращение потребления продукции является низким.
интерьер "объединяет особое предвзятости технологии, когда власть транзистор закрыт, выпуск
оби будет спустил на землю, тем временем, он будет ориентирован на производство грузовых 1,5 или так, предвзятости эмиттер
развилки, ускорить снижение скорости IC нынешнего, расширения эффективной безопасной рабочей области включение
транзистор дает обратный напряжение цб, поэтомуна выносливость, характерные для переключения транзисторов могут
до 700v. более подробную информацию для напряжения, выносливость, характерных для переключения транзисторов,
смотрите соответствующих технических данных.все формы приводится следующее: