Transistors are also subdivided int

Transistors are also subdivided into those having hermetically sealed metal-glass, cermet, or plastic casings and those without casings; casingless transistors have a temporary shield (for example, a thin layer of lacquer, resin, or low-melting glass) to protect the crystal from environmental effects, and the device that contains the transistors is hermetically sealed. Silicon planar and planar-epitaxial transistors have become the most widely used types.
The invention of the transistor made possible the miniaturization of electronic equipment on the basis of the advances in rapidly developing semiconductor electronics. Compared with first-generation electronic equipment, which is based on electron tubes, second-generation electronic equipment for the same purposes, which is based on such semiconductor devices as transistors, is one-tenth to one-hundredth the size and weight, has better reliability, and requires considerably less electric power. The semiconductor component in a present-day transistor is extremely small; even in the most powerful transistors the area of the crystal is not more than several square millimeters. The operational reliability of a transistor, which is determined from the statistical mean time to failure, is typically ~105 hours and reaches 106 hours in certain cases. Unlike electron tubes, transistors can operate with low-voltage power supplies (down to several tenths of a volt); the current required in this case may be as small as a few microamperes. High-power transistors operate at voltages of 10–30 volts and currents of up to several tens of amperes and deliver up to 100 or more watts to a load.

Результаты (русский) 1:

Транзисторы также подразделяются на тех, кто имеет герметичный металл стекло, металлокерамика, или пластмассовые корпуса и без оболочки; casingless транзисторы имеют временный щит (например, тонкий слой лака, смолы или low плавления стекла) для защиты кристалла от воздействия на окружающую среду, и устройство, которое содержит транзисторы герметично. Плоские и плоские эпитаксиальные транзисторы кремния стали наиболее широко используемые типы.Изобретение транзистора стало возможным миниатюризации электронного оборудования на основе достижений в быстроразвивающейся полупроводниковой электроники. По сравнению с первого поколения электронного оборудования, которая основана на электронных ламп, второго поколения электронного оборудования для тех же целей, которая основана на таких полупроводниковых приборов как транзисторы, является одной десятой до одной сотой размер и вес, имеет лучшую надежность и требует значительно меньше электроэнергии. Полупроводниковый компонент в современной транзистор крайне мала; даже в самых мощных транзисторов площадь кристалла составляет не более чем на несколько квадратных миллиметров. Надежность работы транзистора, который определяется из статистического среднего времени на провал, как правило ~ 105 часов и достигает 106 часов в некоторых случаях. В отличие от электронных ламп могут работать транзисторы с низким напряжением питания (до нескольких десятков Вольт); ток, требуемые в данном случае может быть как несколько МКА. Мощные транзисторы работают при напряжении 10 – 30 вольт и токов до нескольких десятков амперах и доставить до 100 или более ватт к нагрузке.

Результаты (русский) 2:

Транзисторы также подразделяются на те , которые имеют Гермитически металл-стекло, металлокерамики или пластиковых корпусов , и те , без оболочек; casingless транзисторы имеют временный щит (например, тонкий слой лака, смолы, или стекла с низким уровнем плавления) для защиты кристалла от воздействия окружающей среды, а также устройство , которое содержит транзисторы герметично запечатанные. Кремний плоские и плоские-эпитаксиальных транзисторов стали наиболее широко используемые типы.
Изобретение транзистора стало возможным миниатюризацию электронного оборудования на основе достижений в быстро развивающейся полупроводниковой электроники. По сравнению с электронным оборудованием первого поколения, которая основана на электронных лампах, второго поколения электронного оборудования для тех же целей, который основан на таких полупроводниковых устройств , как транзисторы, является одной десятой до одной сотой размера и веса, имеет лучшую надежность, и требует значительно меньше электроэнергии. Полупроводниковый компонент в современном транзистора крайне мала; даже в самых мощных транзисторов площадь кристалла не превышает нескольких квадратных миллиметров. Эксплуатационная надежность транзистора, который определяется из статистического среднего времени до отказа, как правило , составляет ~ 105 часов и достигает 106 часов в некоторых случаях. В отличие от электронных ламп, транзисторов может работать с низким напряжением питания (вплоть до нескольких десятых долей вольта); ток , необходимый в этом случае может быть как несколько микроампер. Мощные транзисторы работают при напряжении 10-30 вольт и токов до нескольких десятков ампер и доставить до 100 или более Ватт на нагрузку.

Результаты (русский) 3:

однако также разделить на тех, кто имеет герметично металла, стекла, металлокерамика, или пластиковые гильзы и без оболочки; casingless транзисторов есть временной защитой (например, тонким слоем лака, смолы, или низкой плавления стекла), чтобы защитить кристалл из окружающей среды, и устройство, которое содержит транзисторов герметично запечатана.кремний плоскостных и плоскостных эпитаксиальные транзисторов, стали наиболее широко используемых типов.изобретение транзистора возможным миниатюризация электронного оборудования на основе достижений в быстро развивающихся полупроводниковой электроники.по сравнению с первым поколением электронное оборудование, в основе которого лежат электронных ламп, второго поколения электронного оборудования для тех же целей, который основывается на таких полупроводниковых устройств, как транзисторов, составляет одну десятую к сотой размеры и вес, надежности и требует гораздо меньше электроэнергии.полупроводниковых компонентов в современных транзисторов крайне мало; даже в самых могущественных транзисторов области кристалл не превышает нескольких квадратных миллиметров.надежность транзистора, который определяется на основе статистических среднее время на провал, обычно - 105 часов и достигнет 106 часов в некоторых случаях.в отличие от электронных ламп, транзисторы могут работать с низкого напряжения питания (до нескольких десятков один вольт); в настоящее время, необходимое в данном случае может быть маленькими несколько microamperes.большой мощности транзисторы работают на 10 - 30 вольт напряжение и ток до нескольких десятков мва и доставить до 100 или более ватт на нагрузки.