Random access memory (RAM) is the b

Random access memory (RAM) is the best known form of computer memory. RAM is considered "random access" because you can access any memory cell directly if you know the row and column that intersect at that cell.
The opposite of RAM is serial access memory (SAM). SAM stores data as a series of memory cells that can only be accessed sequentially (like a cassette tape). If the data is not in the current location, each memory cell is checked until the needed data is found. SAM works very well for memory buffers, where the data is normally stored in the order in which it will be used (a good example is the texture buffer memory on a video card). RAM data, on the other hand, can be accessed in any order.
RAM Basics
Similar to a microprocessor, a memory chip is an integrated circuit (IC) made of millions of transistors and capacitors. In the most common form of computer memory, dynamic random access memory (DRAM), a transistor and a capacitor are paired to create a memory cell, which represents a single bit of data. The capacitor holds the bit of information -- a 0 or a 1 (see How Bits and Bytes Work for information on bits). The transistor acts as a switch that lets the control circuitry on the memory chip read the capacitor or change its state.
A capacitor is like a small bucket that is able to store electrons. To store a 1 in the memory cell, the bucket is filled with electrons. To store a 0, it is emptied. The problem with the capacitor's bucket is that it has a leak. In a matter of a few milliseconds a full bucket becomes empty. Therefore, for dynamic memory to work, either the CPU or the memory controller has to come along and recharge all of the capacitors holding a 1 before they discharge. To do this, the memory controller reads the memory and then writes it right back. This refresh operation happens automatically thousands of times per second.
This refresh operation is where dynamic RAM gets its name. Dynamic RAM has to be dynamically refreshed all of the time or it forgets what it is holding. The downside of all of this refreshing is that it takes time and slows down the memory.
Memory cells are etched onto a silicon wafer in an array of columns (bitlines) and rows (wordlines). The intersection of a bitline and wordline constitutes the address of the memory cell.

Memory is made up of bits arranged in a two-dimensional grid.
In this figure, red cells represent 1s and white cells represent 0s.
In the animation, a column is selected and then rows are charged to write data into the specific column.
DRAM works by sending a charge through the appropriate column (CAS) to activate the transistor at each bit in the column. When writing, the row lines contain the state the capacitor should take on. When reading, the sense-amplifier determines the level of charge in the capacitor. If it is more than 50 percent, it reads it as a 1; otherwise it reads it as a 0. The counter tracks the refresh sequence based on which rows have been accessed in what order. The length of time necessary to do all this is so short that it is expressed in nanoseconds (billionths of a second). A memory chip rating of 70ns means that it takes 70 nanoseconds to completely read and recharge each cell.
Memory cells alone would be worthless without some way to get information in and out of them. So the memory cells have a whole support infrastructure of other specialized circuits. These circuits perform functions such as:
• Identifying each row and column (row address select and column address select)
• Keeping track of the refresh sequence (counter)
• Reading and restoring the signal from a cell (sense amplifier)
• Telling a cell whether it should take a charge or not (write enable)
Other functions of the memory controller include a series of tasks that include identifying the type, speed and amount of memory and checking for errors.
Static RAM uses a completely different technology. In static RAM, a form of flip-flop holds each bit of memory (see How Boolean Logic Works for details on flip-flops). A flip-flop for a memory cell takes four or six transistors along with some wiring, but never has to be refreshed. This makes static RAM significantly faster than dynamic RAM. However, because it has more parts, a static memory cell takes up a lot more space on a chip than a dynamic memory cell. Therefore, you get less memory per chip, and that makes static RAM a lot more expensive.
So static RAM is fast and expensive, and dynamic RAM is less expensive and slower. So static RAM is used to create the CPU's speed-sensitive cache, while dynamic RAM forms the larger system RAM space.
Memory Modules
Memory chips in desktop computers originally used a pin configuration called dual inline package (DIP). This pin configuration could be soldered into holes on the computer's motherboard or plugged into a socket that was soldered on the motherboard. This method worked fine when computers typically operated on a couple of megabytes or less of RAM, but as the need for memory grew, the number of chips needing space on the motherboard increased.
The solution was to place the memory chips, along with all of the support components, on a separate printed circuit board (PCB) that could then be plugged into a special connector (memory bank) on the motherboard. Most of these chips use a small outline J-lead (SOJ) pin configuration, but quite a few manufacturers use the thin small outline package (TSOP) configuration as well. The key difference between these newer pin types and the original DIP configuration is that SOJ and TSOP chips are surface-mounted to the PCB. In other words, the pins are soldered directly to the surface of the board, not inserted in holes or sockets.
Memory chips are normally only available as part of a card called a module. You've probably seen memory listed as 8x32 or 4x16. These numbers represent the number of the chips multiplied by the capacity of each individual chip, which is measured in megabits (Mb), or one million bits. Take the result and divide it by eight to get the number of megabytes on that module. For example, 4x32 means that the module has four 32-megabit chips. Multiply 4 by 32 and you get 128 megabits. Since we know that a byte has 8 bits, we need to divide our result of 128 by 8. Our result is 16 megabytes!
The type of board and connector used for RAM in desktop computers has evolved over the past few years. The first types were proprietary, meaning that different computer manufacturers developed memory boards that would only work with their specific systems. Then came SIMM, which stands for single in-line memory module. This memory board used a 30-pin connector and was about 3.5 x .75 inches in size (about 9 x 2 cm). In most computers, you had to install SIMMs in pairs of equal capacity and speed. This is because the width of the bus is more than a single SIMM. For example, you would install two 8-megabyte (MB) SIMMs to get 16 megabytes total RAM. Each SIMM could send 8 bits of data at one time, while the system bus could handle 16 bits at a time. Later SIMM boards, slightly larger at 4.25 x 1 inch (about 11 x 2.5 cm), used a 72-pin connector for increased bandwidth and allowed for up to 256 MB of RAM.



From the top: SIMM, DIMM and SODIMM memory modules
As processors grew in speed and bandwidth capability, the industry adopted a new standard in dual in-line memory module (DIMM). With a whopping 168-pin connector and a size of 5.4 x 1 inch (about 14 x 2.5 cm), DIMMs range in capacity from 8 MB to 128 MB per module and can be installed singly instead of in pairs. Most PC memory modules operate at 3.3 volts, while Mac systems typically use 5 volts. Another standard, Rambus in-line memory module (RIMM), is comparable in size and pin configuration to DIMM but uses a special memory bus to greatly increase speed.
Many brands of notebook computers use proprietary memory modules, but several manufacturers use RAM based on the small outline dual in-line memory module (SODIMM) configuration. SODIMM cards are small, about 2 x 1 inch (5 x 2.5 cm), and have 144 pins. Capacity ranges from 16 MB to 512 MB per module. An interesting fact about the Apple iMac desktop computer is that it uses SODIMMs instead of the traditional DIMMs.
Error Checking
Most memory available today is highly reliable. Most systems simply have the memory controller check for errors at start-up and rely on that. Memory chips with built-in error-checking typically use a method known as parity to check for errors. Parity chips have an extra bit for every 8 bits of data. The way parity works is simple. Let's look at even parity first.
When the 8 bits in a byte receive data, the chip adds up the total number of 1s. If the total number of 1s is odd, the parity bit is set to 1. If the total is even, the parity bit is set to 0. When the data is read back out of the bits, the total is added up again and compared to the parity bit. If the total is odd and the parity bit is 1, then the data is assumed to be valid and is sent to the CPU. But if the total is odd and the parity bit is 0, the chip knows that there is an error somewhere in the 8 bits and dumps the data. Odd parity works the same way, but the parity bit is set to 1 when the total number of 1s in the byte are even.
The problem with parity is that it discovers errors but does nothing to correct them. If a byte of data does not match its parity bit, then the data are discarded and the system tries again. Computers in critical positions need a higher level of fault tolerance. High-end servers often have a form of error-checking known as error-correction code (ECC). Like parity, ECC uses additional bits to monitor the data in each byte. The difference is that ECC uses several bits for error checking -- how many depends on the width of the bus -- instead of one. ECC memory uses a special algorithm not only to detect single bit errors, but actually correct them as well. ECC memory will also detect

Результаты (русский) 1:

Оперативной памяти (RAM) является наиболее известным формой памяти компьютера. ОЗУ считается «случайный доступ», потому что вы можете получить доступ любой ячейки памяти непосредственно если вы знаете, строку и столбец, пересекаются в этой ячейке. Противоположностью ОЗУ является последовательный доступ к памяти (SAM). Сэм хранит данные в виде серии ячеек памяти, которые могут быть доступны только последовательно (как кассету). Если данные не в текущем местоположении, каждая ячейка памяти проверяется пока не найдено необходимых данных. Сэм работает очень хорошо для буферов памяти, где данные обычно хранятся в том порядке, в котором он будет использоваться (хорошим примером является Текстура буфера памяти на видеокарты). Оперативной памяти, с другой стороны, может быть доступ к данным в любом порядке. Основы оперативной памятиМикропроцессор, чип памяти является интегральной схемы (ИС) из миллионов транзисторов и конденсаторы. В наиболее распространенной форме компьютерной памяти, динамическое ОЗУ (DRAM), транзистор и конденсатор паре для создания ячейки памяти, который представляет один бит данных. Конденсатор держит бит информации--0 или 1 (см. как бит и байт работы для получения информации о бит). Транзистор действует как переключатель, который позволяет цепь управления на чипе памяти читать конденсатор или изменить его состояние. Конденсатор, как ведерко, которая имеет возможность хранить электронов. Для хранения 1 в ячейку памяти, ковш наполнен электронов. Для хранения 0, он очищается. Проблема с ведро конденсатор имеет утечки. В течение нескольких миллисекунд полное ведро становится пустым. Таким образом для динамической памяти для работы, процессор или контроллер памяти должен приехать вместе и пополнить все Холдинг 1, прежде чем они разряда конденсаторов. Чтобы сделать это, контроллер памяти считывает память и затем записывает его обратно. Эта операция обновления автоматически происходит тысячи раз в секунду. Эта операция обновления, когда динамического ОЗУ получает свое имя. Динамическое ОЗУ должен быть динамически обновляется все время, или он забывает, что он держит. Все это освежающий оборотная сторона что оно требует времени и замедляет памяти. Клетки памяти травленная на кремниевой пластины в массиве строк (wordlines) и столбцов (bitlines). Пересечение bitline и wordline представляет собой адрес ячейки памяти. Памяти состоит из битов в двухмерную сетку.На этом рисунке красные клетки представляют собой 1s и белые клетки представляют собой 0s.В анимации столбец выбран, и затем взимается строки для записи данных в указанный столбец.DRAM работает, посылая заряда через соответствующую колонку (CAS) для того чтобы активировать транзистор на каждый бит в столбце. При написании, строк содержат состояние конденсатора должны взять на. При чтении, смысл усилитель определяет уровень заряда в конденсатор. Если это более чем на 50 процентов, он читает его как 1; в противном случае она читает его как 0. Этот счетчик отслеживает последовательность обновления на основе строк, которые обращались в каком порядке. Продолжительность времени, необходимого для делать все это настолько коротка, что это выражается в наносекунд (миллиардных долей секунды). Микросхема памяти рейтинг 70ns означает, что она занимает 70 наносекунд полностью читать и пополнения каждой ячейки. Клетки памяти только будут бесполезны без какой-нибудь способ получить информацию и выходить из них. Таким образом клетки памяти имеют инфраструктуру всей поддержки других специализированных цепей. Эти схемы выполнения функций, таких как: • Определение каждой строки и столбца (строки выберите адрес и выберите столбец адрес) • Следить за последовательности обновления (счетчик) • Чтение и восстановление сигнала из клетки (смысл усилитель) • Говоря ячейки ли он должен взять или не (записи включить) Другие функции контроллера памяти включают целый ряд задач, которые включают определение типа, скорость и объем памяти и проверки на наличие ошибок. Статическое ОЗУ использует совершенно другой технологии. В статическое ОЗУ, форма flip-flop хранит каждый бит памяти (см. как логическое логика работает для деталей на шлепанцы). Триггер для ячейки памяти занимает четыре или шесть транзисторов, а также некоторые проводки, но никогда не должен быть обновлен. Это делает статическое ОЗУ значительно быстрее, чем динамическое ОЗУ. Однако потому что она имеет больше частей, ячейка статической памяти занимает намного больше места чем ячейка динамической памяти на чипе. Таким образом вы получаете меньше памяти за чип, и что делает статическое ОЗУ намного дороже. Так что статическое ОЗУ с быстрой и дорогой, и динамическое ОЗУ менее дорогим и медленнее. Так что статическое ОЗУ используется для создания кэш чувствительны к скорости процессора, в то время как динамическое ОЗУ образует более крупной системы RAM пространства. Модули памятиМикросхемы памяти в настольных компьютерах первоначально используется конфигурация называется двойной встроенный пакет (DIP). Эта конфигурация может быть пайки в отверстия на системной плате компьютера или подключен объект socket, который был припаян на материнской плате. Этот метод работал прекрасно, когда компьютеры обычно работает на пару мегабайт или меньше оперативной памяти, но, как потребность в памяти вырос, количество фишек, нуждающихся места на материнской плате увеличилось. Решение было разместить чипы памяти, а также все компоненты поддержки, на отдельной печатной платы (PCB), который затем может быть подключен к специальным соединителем (банк памяти) на системной плате. Большинство из этих чипов использовать небольшие наброски конфигурация J-свинца (СОЖ), но довольно много производителей использовать конфигурацию пакета (TSOP) тонкие небольшие наброски. Ключевое различие между этими новыми видами ПИН и первоначальной конфигурации DIP что SOJ и TSOP чипы поверхностного монтажа на печатной плате. Другими словами булавки припаяны непосредственно к поверхности доски, не вставлены в отверстия или розетки. Микросхемы памяти, обычно доступны только как часть карты, называется модулем. Вы вероятно видели памяти 4 x 16 или 8 x 32. Эти цифры представляют количество фишек, умноженное на количество каждого индивидуального чип, который измеряется в мегабитах (МБ), или один миллион бит. Результат и разделить его на 8, чтобы получить количество мегабайт на этом модуле. Например 4 x 32 означает, что модуль имеет четыре 32-мегабитный фишки. Размножаются 4, 32 и вы получите 128 Мбит. Поскольку мы знаем, что байт имеет 8 бит, мы должны разделить наши результат 128, 8. Наш результат-16 мегабайт! Тип правления и соединитель используется для ОЗУ в настольных компьютерах развивалась на протяжении последних нескольких лет. Первый типы были собственностью, означает, что различные компьютерные производители разработали платы памяти, которые будут работать только с их конкретными системами. Потом SIMM, который стоит для одного в буферизованный модуль памяти. Эта плата памяти используется 30-контактный разъем и было около 3,5 х.75 дюйма по размеру (около 9 х 2 см). В большинстве компьютеров вам пришлось установить Симмс в парах одинаковой мощности и скорости. Это потому что ширина автобус больше чем один SIMM. Например, можно установить две Симмс 8 мегабайт (МБ) для получения 16 мегабайт всего ОЗУ. Каждый SIMM может отправить 8 битов данных за один раз, в то время как системная шина может обрабатывать 16 бит одновременно. Позднее SIMM доски, немного больше на 4,25 x 1 дюйм (около 11 x 2,5 см), используемые 72-контактный разъем для увеличения пропускной способности и позволило до 256 МБ оперативной памяти. Сверху: модули памяти SIMM, DIMM и SODIMMКак процессоры вырос в скорости и пропускной способности, отрасли приняла новый стандарт в модуле двойное в соответствие памяти (DIMM). С колоссальные 168-контактный разъем и размером 5.4 x 1 дюйм (около 14 х 2,5 см) DIMM диапазон вместимостью от 8 МБ до 128 МБ на модуль и может быть установлен самостоятельно вместо в парах. Большинство модулей памяти ПК работают на 3,3 вольт, в то время как Mac системы обычно используют 5 вольт. Другой стандарт, Rambus линии модуля памяти (RIMM), сопоставимых по размеру и закрепить конфигурации для модулей DIMM, но использует шину Специальный памяти значительно увеличить скорость. Многие производители портативных компьютеров использовать модули собственной памяти, но некоторые производители используют ОЗУ, основанные на конфигурации модуля (SODIMM) небольшие наброски двойное в соответствие памяти. SODIMM карты маленькие, около 2 x 1 дюйм (5 x 2,5 см) и у 144 булавки. Мощность варьируется от 16 МБ до 512 МБ на модуль. Интересный факт о Настольный компьютер Apple iMac используется SODIMMs вместо традиционных модулей DIMM. Проверка ошибокСегодня большинство доступной памяти отличается высокой надежностью. Просто большинство систем имеют контроллер памяти проверьте ошибки на начальном этапе и полагаться на это. Микросхемы памяти с встроенной проверки ошибок обычно используется метод, известный как четности для проверки на наличие ошибок. Паритет чипы имеют дополнительный бит для каждого 8 битов данных. Образом, паритет работает просто. Посмотрим на четность. Когда 8 битов в байте получают данные, чип добавляет вверх общее количество 1s. Если общее количество 1s нечетное, бит четности равным 1. Если общая сумма даже, бит четности равным 0. Когда данные считываются обратно из биты, Общая добавил вверх снова и по сравнению с бит четности. Если общая является странным и бит четности 1, данные предполагается быть действительным и отправляется к Процессору. Но если нечетное общее и бит четности — 0, чип знает, что есть ошибка где-то в 8 бит и выводит данные. Нечетный паритет работает таким же образом, но бит четности равным 1, когда общее количество 1s в байте даже. Проблема с четностью является что он обнаруживает ошибки, но ничего не делает для их исправления. Если байт данных не соответствует его бит чётности, затем данные отбрасываются, и система пытается снова. Компьютеров в критической позиции требуется более высокий уровень отказоустойчивости. Мощных серверов часто имеют форму проверки ошибок, известный как код коррекции ошибок (ECC). Как паритета ECC использует дополнительные биты для мониторинга данных в каждом байте. Разница заключается, что ECC использует несколько битов для ошибки проверки--сколько зависит от ширины шины--вместо одного. Память ECC использует специальный алгоритм не только для обнаружения одноразрядные ошибки, но на самом деле также их исправить. Память ECC также определит

Результаты (русский) 2:

Оперативная память (ОЗУ) является лучшим из известных форм памяти компьютера. ОЗУ считается "произвольного доступа", потому что вы можете получить доступ к любой ячейке памяти непосредственно, если вы знаете, строку и столбец, которые пересекаются этой ячейке.
Противоположность оперативной памяти память с последовательным доступом (SAM). SAM хранит данные в виде ряда ячеек памяти, которые могут быть доступны только последовательно (как кассеты). Если данные не в текущем местоположении, каждая ячейка памяти проверяется, пока не будет найден данные необходимы. SAM работает очень хорошо для буферов памяти, где данные обычно хранятся в порядке, в котором он будет использоваться (хорошим примером является памяти текстуры буфера на видеокарте). Данные RAM, с другой стороны, могут быть доступны в любом порядке.
RAM Основы
Похожие на микропроцессор, чип памяти является интегральной схемой (ИС) из миллионов транзисторов и конденсаторов. В наиболее общем виде компьютерной памяти, динамическое ОЗУ (DRAM), транзистор и конденсатор в паре, чтобы создать ячейку памяти, которая представляет собой один бит данных. Конденсатор держит немного информации - 0 или 1 (см биты и байты работы для получения информации о битах). Транзистор действует как переключатель, который позволяет схема управления на чипе памяти прочитать конденсатор или изменить свое состояние.
Конденсатор, как маленький ведро, которое способно хранить электроны. Чтобы сохранить 1 в ячейке памяти, ведро заполняется электронами. Для сохранения 0, то опустошается. Проблема с ковшом конденсатора является то, что он имеет утечку. В течение нескольких миллисекунд полное ведро становится пустым. Таким образом, для динамической памяти с работы, либо процессор, либо контроллер памяти должен прийти и заряжать все конденсаторы проведения 1 разряда, прежде чем они. Для этого, контроллер памяти читает память, а затем записывает его обратно. Эта операция обновления происходит автоматически тысячи раз в секунду.
Эта операция обновления, где динамическое ОЗУ получает свое имя. Динамическое ОЗУ должен быть динамически обновляется все время, или забывает, что он держит. Оборотная сторона всего этого освежающий, что это занимает время и замедляет памяти.
Ячейки памяти отпечатались на кремниевой пластине в массиве столбцов (bitlines) и строк (wordlines). Пересечение bitline и Wordline собой адрес ячейки памяти. Память состоит из битов, расположенных в виде двумерной решетки. На этом рисунке, красные клетки представляют 1s и белые клетки представляют 0s. В анимации, столбец является выбран, а затем строки взимается записать данные в определенном столбце. DRAM работает, посылая заряд через соответствующую колонку (CAS), чтобы активировать транзистор каждый бит в столбце. При написании, линии строк содержат состояние конденсатор должен взять на себя. При чтении, чувство усилитель определяет уровень заряда в конденсаторе. Если это более чем на 50 процентов, он считывает его как 1; в противном случае он читает его как 0. Счетчик отслеживает последовательность обновления, на основании которых строки были доступны в каком порядке. Длина времени, необходимого, чтобы сделать все это так мало, что это выражается в наносекунд (миллиардных долей секунды). Рейтинг чип памяти 70ns означает, что она занимает 70 наносекунд, чтобы полностью прочитать и перезарядить каждую ячейку. Одни клетки памяти будет бесполезной без какой-либо способ получить информацию в и из них. Таким образом, клетки памяти имеют целый инфраструктуры поддержки других специализированных схем. Эти схемы выполняют такие функции, как: • Выявление каждая строка и столбец (строка адрес выбрать и адрес столбца выберите) • Отслеживание последовательности обновления (счетчик) • Чтение и восстановление сигнала от клетки (усилителя считывания) • указал ячейку ли он должен взять ответственность или нет (писать включить) Другие функции контроллера памяти включают в себя ряд задач, которые включают в себя идентификацию типа, скорость и объем памяти и проверки на наличие ошибок. Статическое ОЗУ использует совершенно другую технологию. В статического ОЗУ, форма триггера имеет каждый бит памяти (посмотреть, как логические логика работает для подробной информации о триггеров). Триггера для ячейки памяти не принимает четыре или шесть транзисторов вместе с некоторым количеством проводов, но никогда не должна быть обновлена. Это делает статический RAM значительно быстрее, чем динамической памяти. Тем не менее, поскольку он имеет более частей, статический ячейки памяти занимает больше места на кристалле, чем динамической ячейки памяти. Таким образом, вы получите меньше памяти на чипе, что делает статический RAM намного дороже. Так статическая оперативная память быстро и дорого, и динамическое ОЗУ дешевле и медленнее. Так статическая оперативная память используется для создания чувствительный к скорости кэш процессора, в то время как динамическое ОЗУ формирует большую систему RAM пространство. Модули памяти микросхемы памяти в настольных компьютерах, первоначально использовали контактный конфигурацию под названием двухрядным пакет (ДМЗ). Эта конфигурация может быть контактный припаяны в отверстия на материнской плате компьютера или подключен в розетку, которая была припаяна на материнской плате. Этот метод прекрасно работали, когда компьютеры, как правило, работает на пару мегабайт или меньше оперативной памяти, но также необходимость для памяти рос, количество фишек, нуждающихся в пространство на материнской плате увеличилась. Решение было разместить чипы памяти, вместе со всеми компоненты поддержки, на отдельном печатной плате (PCB), которые могли бы быть подключен в специальный разъем (банк памяти) на материнской плате. Большинство из этих чипов использовать небольшой набросок J-свинец (SOJ) конфигурацию контактный, но немало производители используют тонкий небольшой пакет контур (ЦОП) конфигурацию, а также. Основное различие между этими новыми типами контактных и оригинальной конфигурации DIP, что SOJ и TSOP чипов для поверхностного монтажа на печатной плате. Другими словами, штифты припаяны непосредственно к поверхности доски, не вставлен в отверстия или гнезда. Микросхемы памяти, как правило, доступны только как часть карты называется модуль. Вы, наверное, видели, как память, перечисленных 8x32 4x16 или. Эти цифры представляют собой число фишек, умноженному на мощность каждого отдельного чипа, который измеряется в мегабитах (Мб) или одного миллиона бит. Возьмите результат и разделите его на восемь и получаем количество мегабайт на этом модуле. Например, 4x32 означает, что модуль имеет четыре 32-мегабит фишки. Умножьте 4 на 32, и вы получите 128 мегабит. Поскольку мы знаем, что байт имеет 8 бит, мы должны разделить наш результат 128 на 8. Наш результат 16 мегабайт! Тип правления и разъемом для памяти в настольных компьютерах развивалась на протяжении последних нескольких лет. Первые виды были собственностью, а это означает, что различные производители компьютеров разработали доски памяти, будет работать только с их конкретными системами. Потом SIMM, которая выступает за единый модуль памяти в режиме реального времени. Эта плата памяти, используемой 30-контактный разъем и составил около 3,5 х 0,75 дюйма по размеру (около 9 х 2 см). В большинстве компьютеров, нужно было установить модули SIMM парами одинаковой емкостью и скоростью. Это потому, что ширина шины составляет более одной SIMM. Например, вы бы установить два 8-мегабайт (МБ) модули SIMM, чтобы получить 16 мегабайт оперативной памяти всего. Каждый SIMM могут отправить 8 бит данных за один раз, в то время как шина может работать с 16 бит на время. Позже SIMM платы, чуть больше на 4,25 х 1 дюйм (около 11 х 2,5 см), используется 72-контактный разъем для увеличения пропускной способности и позволило до 256 Мб оперативной памяти. С верхних: SIMM, DIMM и SODIMM модулей памяти Как Процессоры вырос в скорости и пропускной способности, в отрасли принят новый стандарт в двойной модуль в линию памяти DIMM (). С колоссальным 168-контактный разъем и размером 5,4 х 1 дюйм (около 14 х 2,5 см), модули DIMM в диапазоне мощностей от 8 Мб до 128 Мб на модуль и может быть установлен отдельно, а не в парах. Большинство модулей памяти ПК работают на 3,3 вольт, в то время как системы Mac обычно используют 5 вольт. Еще один стандарт, Rambus в линию модуль памяти (RIMM), сопоставим по размеру и конфигурации контактов в памяти DIMM, но использует специальный автобус памяти значительно увеличить скорость. Многие бренды ноутбуков используют собственные модули памяти, но некоторые производители используют оперативную память на основе небольшой набросок двойной конфигурации модуль памяти в он-лайн (SODIMM). SODIMM карточки малы, около 2 х 1 дюйм (5 х 2,5 см), и имеют 144 контактов. Емкость варьируется от 16 МБ до 512 МБ на модуль. Интересный факт о настольном компьютере Apple, ИМАК, что он использует SODIMMs вместо традиционных модулей DIMM. Проверка ошибок Большинство памяти, доступных сегодня очень надежным. Большинство систем просто чек контроллера памяти на наличие ошибок при запуске и полагаться на это. Микросхемы памяти со встроенным проверки ошибок, как правило, используют метод, известный как паритет, чтобы проверить на наличие ошибок. Паритет чипы имеют дополнительный бит на каждые 8 бит данных. Путь четности работает очень просто. Давайте посмотрим на четности в первую очередь. Когда 8 бит в байте получать данные чип добавляет общее количество 1s. Если общее количество 1s нечетное, то бит четности устанавливается в 1. Если общая четное, то бит четности устанавливается в 0. Когда данные считываются обратно из битов, общая добавляется снова и по сравнению на бит четности. Если общее нечетно и бит четности 1, то данные считаются действительными и подается на ЦП. Но если общая нечетно и бит четности 0, чип знает, что есть ошибка где-то в 8 бит и сбрасывает данные. Нечетности работает точно так же, но бит четности устанавливается в 1, когда общее количество 1s в байт еще. Проблема с контролем четности, что она обнаруживает ошибки, но не делает ничего, чтобы исправить их. Если байт данных не соответствует его бит четности, то данные отбрасываются, и система пытается снова. Компьютеры в критических позиций нужно более высокий уровень отказоустойчивости. Высокопроизводительные серверы часто имеют форму проверки ошибок, известный как кода с исправлением ошибок (ECC). Как четности, ECC использует дополнительных битов для контроля данных в каждом байте. Разница заключается в том, что ЕСС использует несколько битов для проверки ошибок - сколько зависит от ширины шины - вместо одного. ECC памяти использует специальный алгоритм не только для обнаружения одиночных ошибок бит, но на самом деле их исправления, а также. ECC память также обнаружить

Результаты (русский) 3:

случайного доступа память (озу), является наиболее известной формой память компьютера.рам, считается "случайный доступ", потому что вы можете получить доступ к памяти мобильного напрямую, если вы знаете строки и столбца, которые пересекаются на камеру.
обратной оперативной памяти - серийный доступ к памяти (сэм).сэм хранит данные как серия клетки памяти, которые могут быть доступны только последовательно (например, кассетный магнитофон).если данных не на своем месте, каждая память камеры проверяется до необходимых данных будет найден.сэм очень хорошо работает для буферы памяти, где данные хранятся в порядке, в котором они будут использоваться (хорошим примером является текстура буфер памяти на видеокартах).памяти данные, с другой стороны, можно получить в любом порядке.
рам основам
аналогичные микропроцессор,а карты памяти является интегральной схемы (IC) миллионов транзисторов и конденсаторов.в наиболее распространенной формой память компьютера, динамичный Random Access Memory (драма), транзистор и конденсатор объединяются, с тем чтобы они могли создать памяти камеру, которая представляет собой отдельный бит данных.конденсатор занимает немного информации - 0 или 1 (см. как дид и байт работы информацию о дид).транзистор действует как переключатель, который позволяет контролировать схемы на флэш - памяти читал конденсатор или изменить его государства.
A конденсатор как небольшое ведро, которое может хранить электронов.для хранения в памяти мобильного, ведро наполнен электронов.для хранения 0, он опустел.проблема с конденсатор это ведро, заключается в том, что она имеет утечку.в течение нескольких миллисекунд полное ведро становится пусто.поэтому для динамической памяти на работу, либо процессор и память контролер должен пойти и подпитки все конденсаторов, проведение 1 до их выполнения.для этого контроллер памяти читает память и потом пишет его обратно.это обновление данных происходит автоматически, в тысячи раз в секунду.
это обновление данных, где динамической памяти получила свое название.динамичный памяти необходимо динамично обновлять все время, или он забывает, что он держится.оборотная сторона все это освежает, заключается в том, что она требует времени и замедляет памяти.
клетки памяти укоренились на кремниевых пластин в ряде колонок bitlines) и ряда (wordlines).пересечение A bitline и wordline является адрес память клеток.

память состоит из кусочков устроены в двухмерная сетка.
в этот показатель, эритроцитов и лейкоцитов, представляют собой представляют 1с:.
в анимации, колонна флажок, и затем строк проводятся для записи данных в конкретных колонку.
компания работает, отправив за через соответствующие колонке (CAS), активировать транзистор на каждый бит в колонке.при написании, строка, линии содержат государство конденсатор, должны брать на себя.при чтении, ощущение усилитель определяет уровень заряда батарей.в том случае, если оно является более чем на 50 процентов, это звучит как 1; в противном случае звучит как 0.с пути обновления последовательность, на основе которых ряды были доступны в каком порядке.время, необходимое для этого так мало, что она выражается в nanoseconds (billionths второе).памяти чипа рейтинг 70ns означает, что нужно 70 nanoseconds полностью прочитать и подпитки каждой камере.
клетки памяти один будут бесполезны без какой - то способ получения информации в и из них.так что клетки памяти целую инфраструктуру поддержки других специализированных каналов.эти схемы выполнения функций, таких как:
• идентификации каждой строки и столбца (строка адреса выбрать и колонки решения выбрать)
• отслеживать обновления последовательности (с).• чтение и восстановление сигнала с мобильного (в смысле усилитель)
• говорит камеру о том, следует ли принять обвинения или не писать, чтобы)
других функций контроллер памяти, включают ряд задач, которые включают в себя определение типа, скорость и объем памяти и выявления ошибок.
статической оперативной памяти использует совершенно разные технологии.на статической оперативной памяти,форма шлепанец проводит каждый бит памяти (см. как логическое логика работает для сведения о шлепки).а шлепанец на память клеток требуется четыре или шесть транзисторов, наряду с проводкой, но никогда не должна быть обновлена.это делает статической оперативной памяти значительно быстрее, чем динамической памяти.тем не менее, потому что он более частей, статический памяти мобильного занимает больше места на чип, чем динамической памяти камеру.таким образом, вы получите меньше памяти на чип, и это делает статической оперативной памяти намного дороже.
так статическое памяти быстро и дорого, и динамичных таран является менее дорогостоящим и медленнее.так статическое RAM использовалась для создания CPU скорость чувствительных кэша, в то время как динамичный памяти формы более оперативной памяти пространства.
модулей памяти.микросхемы памяти в настольных компьютерах, первоначально использовал пин конфигурации назвал двойное встроенный пакет (дмз).это - конфигурации может быть паяных в дыры на компьютерной материнской платы или подключения к розетке, припаяны на материнской плате.этот метод работал нормально, когда компьютеры, как правило, эксплуатируемых на пару), или меньше оперативной памяти, но, как необходимость памяти выросла,количество фишек, нуждающихся в космос на материнской плате возросла."было принято решение поместить чипы памяти, а также все эти компоненты поддержки, на отдельном печатных плат (пхд), которые могут быть подключены к сети специального коннектора (память банк) на материнской плате.большинство из них чипы используют небольшое описание j-lead (soj) - структуры,но многие производители используют тонкие небольшой план пакета (tsop) конфигурацию, а также.ключевое различие этих новых типов и текстам дмз конфигурации - это soj и tsop кусочки крепятся к поверхности ксп.иными словами, булавки были припаяны непосредственно к поверхности совет, не включены в отверстия или розетки.
чипы памяти, обычно только как часть карты под названием модуля.ты, наверное, видел память, перечисленные в качестве 8x32 или 4x16.эти цифры отражают число фишки, помноженное на потенциал каждого чипа, который измеряется в мегабитах (мб), или 1 миллион битов.взять результат и разделить его на восемь, чтобы число мегабайт этого модуля.например,4x32 означает, что модуль имеет четыре 32 мегабит чипсы.там 4 - 32, и вы получите 128 мегабит.с тех пор, как мы знаем, что имеет 8 бит байта, нам нужно разделить наш результат 128 на 8.результат - 16 мегабайт!
типа совета и разъем используется для памяти в настольных компьютерах изменилась за последние несколько лет.первого типа собственности,это означает, что различные производители компьютеров развитых памяти советов, что будет работать только с их конкретными системами.потом пришел симм, которая выступает за единую встроенного модуля памяти.эта память совет использовал 30 - контактный разъем и составляла около 3,5 х. 75 дюймов в размерах (около 9 x 2 см).в большинстве компьютеров, вы должны были устанавливать симмс парами равных возможностей и скорости.это объясняется тем, что ширина автобус - это больше, чем один симм.например, можно установить два 8-megabyte (мб) симмс, чтобы получить 16 мегабайт памяти всего.каждый симм может отправить 8 бит данных за один раз, а система автобус может справиться с 16 бит на время.позже симм советов, чуть больше в 16 х 1 дюйм (примерно 11 - х 2,5 см),использовал 72 - разъем для увеличения пропускной способности и позволяет до 256 мб оперативной памяти.



сверху: симм, dimm и sodimm модулей памяти
как процессоры вырос в скорости и пропускной способности, промышленности, принял новый стандарт в двойной встроенного модуля памяти (dimm).с целых 168 - разъем и размер 5.4 x 1 дюйм (около 14 x 2,5 см),dimms диапазон мощностей с 8 до 128 мб на модуль и может быть установлен самостоятельно, а не в парах.компьютерные модули памяти, действуют на 3.3 вольт, а системы Mac обычно используют 5 вольт.еще один стандарт, Rambus встроенного модуля памяти (rimm), сопоставим по размеру и конфигурации dimm пин, но используется специальный автобус для памяти значительно увеличить скорость.
многие бренды ноутбуков применения собственных модулей памяти, однако некоторые производители используют памяти на основе небольшой план двойной встроенного модуля памяти (sodimm) конфигурация.sodimm карты являются небольшими, примерно 2 х 1 дюйм (5 x 2,5 см), и 144 булавки.потенциал колеблется от 16 до 512 мб на модуль.интересный факт о настольных компьютеров Apple iMac, заключается в том, что он использует sodimms вместо традиционной dimms.

большинство ошибок памяти сегодня очень надежной.в большинстве систем просто контроллер памяти, проверить ошибки на начальном этапе и рассчитывать на это.микросхемы памяти со встроенными ошибок обычно используют метод, известный как паритета, проверить ошибки.паритет фишки, дополнительный бит для каждого 8 бит данных.путь паритета работает очень просто.давайте посмотрим на даже паритета.
, когда 8 битов в байт - получать данные, чип, составляет в общей сложности Ones, если общее количество единиц, это странно, бит четности, составляет 1.если общая сумма, даже, бит четности равен 0.когда чтения данных обратно в дид,в общей сложности добавляется еще и по сравнению с бит четности.если общая сумма выглядит странно и бит четности 1, то данные считается действительным и направляется к процессору.но если общая странным и бит четности 0, чип, знает, что есть ошибки, где - то в 8 битов и свалки данных.нечетной разрядности работает одинаково,но бит четности, составляет 1, когда общее количество единиц в байт - даже."проблема заключается в том, что он обнаруживает ошибки с паритета, но ничего не делает для их устранения.если байт данных не соответствует ее четности, то данные отбрасываются, а система пытается снова.компьютеры в критических позиций, нужен более высокий уровень отказоустойчивости.высококлассная серверы часто имеют форму ошибок, известный как исправление ошибки кодекса (кэс).как паритета, кэс использования дополнительных дид для мониторинга данных в каждый байт.разница в том, что кэс использует несколько дид для ошибок - как много зависит от ширины автобус - вместо одного.кэс памяти используется специальный алгоритм не только выявлять одиноких - битных ошибок, но на самом деле их устранения, а также.кэс памяти будет также определять