The conductivity provided by conduc

The conductivity provided by conduction electrons will be determined by the number of electrons, and the ease of their movement in an applied electric field. The latter is described by their "mobility", which is the drift velocity of the carriers in cm/sec in a field of 1 volt/cm.

The temperature dependence of the conductivity of semiconductors is one of the most striking and characteristic of their properties. At low temperatures the conduct- ivity is low, because most of the carriers are frozen out on the donor centers. As the temperature rises, the degree of ionization of the donors increases, and the rising carrier concentration, results in a rapidly increasing conductivity. At around 100 the conductivity reaches a maximum, because of complete ionization of the donors. At considerably, higher temperature a very steep rise in the conductivity occurs, due to the onset of an appreciable intrinsic conduction. The drop in conductivity with rising temperatures, above 100 and below the intrinsic range, is in the region of saturation, i.e., the carrier concentration is constant and equal to Nd – Na. The reason for the drop lies in the temperature dependence of the mobility, In this range of temperatures, the mobility of the carriers decreases with rising temperatures due to "lattice scattering". The increasing thermal agitation of the lattice leads to a shorter distance for the carriers to travel between collisions with the lattice, and the carriers travel faster at higher temperatures, thus shortening the time between collisions; these factors both serve to decrease the mobility. Theoretically it is expected under certain

assumptions, that in the lattice-scattering range the mobility should go as T3/2. Experimental results usually give a somewhat different exponent.

Any sample which shows little change in conductivity over a wide range of temperatures, is degenerated, because of the high concentration of arsenic, and of

conduction electrons, in this sample. The behavior of p-type samples, doped with boron for example, is entirely similar to that shown for the n-type materials.

The lattice scattering mentioned above is one of the two principle mechanisms

that limit mobility. At high impurity concentrations, or at temperatures low enough so



that lattice scattering does not predominate, the mobility is limited by scattering by impurity centers. Ionized impurities are very much more effective than are neutral impurities. In the ionized impurity scattering region, varies as T3/2

Результаты (русский) 1:

Проводимость, предоставляемые электроны проводимости будет определяться по количеству электронов и легкость их движения в приложенного электрического поля. Последний описывается их «мобильность», которая является скорость дрейфа носителей в см/с в поле 1 Вольт/см.Температурная зависимость проводимости полупроводников является одним из самых ярких и характерные для их свойств. При низких температурах творческой поведения является низким, потому что большинство перевозчиков заморожены донорских центров. Как температура поднимается, степень ионизации доноров увеличивается, а рост концентрации носителей приводит в быстро растущей проводимости. Около 100 проводимость достигает максимума из-за полной ионизации доноров. На значительно более высокую температуру очень крутой подъем в проводимости происходит, из-за наступления заметного внутренней проводимости. Падение проводимости с повышением температуры, выше 100 и ниже внутреннего диапазона, находится в регионе насыщения, т. е., концентрация перевозчик является постоянной и составляет Nd – НС. Причина отказа заключается в температурной зависимости подвижности в этом диапазоне температур, подвижность носителей уменьшается с повышением температуры из-за «решетки рассеяния». Увеличение тепловой взволнование решетки приводит к более короткие дистанции для перевозчиков путешествовать между столкновениями с решеткой и перевозчиками путешествовать быстрее при более высоких температурах, таким образом сокращая время между столкновениями; Эти факторы служат для снижения мобильности. Теоретически ожидается при определенныхпредположения, что в решетке россыпь диапазон мобильности должен идти как T3/2. Экспериментальные результаты, как правило, дают несколько иной показатель степени.Любой образец, который показывает незначительные изменения в электропроводности в широком диапазоне температур, вырождается, из-за высокой концентрации мышьяка, а такжеэлектроны проводимости, в этом образце. Поведение образцов типа p, легированный бором, например, полностью похож на для материалов типа n.Разбрасывать решетки, упомянутые выше является одним из двух принципиальных механизмовЭто ограничение мобильности. При концентрациях высоких примесей или при низких температурах достаточно так что рассеяние решетки не преобладают, мобильность ограничивается рассеяние примеси центрами. Ионизированная примеси очень намного эффективнее, чем нейтральные примеси. В регионе рассеяния ионизированная примеси меняется как T3/2

Результаты (русский) 2:

Проводимость обеспечивается электронами проводимости будет определяться числом электронов, и легкость их перемещения в приложенного электрического поля. Последнее описывается их «мобильности», которая является скорость дрейфа носителей в см / сек в поле 1 вольт / см.

Температурная зависимость проводимости полупроводников является одним из самых ярких и характерных их свойств. При низких температурах Проводящий ivity низка, потому что большинство носителей вымораживаются на донорных центрах. При повышении температуры, степень ионизации доноров увеличивается, и рост концентрации носителей, приводит к быстро растущей проводимости. Около 100 проводимость достигает максимума, из - за полной ионизации доноров. При значительно, Более высокая температура очень резкий рост проводимости происходит из-за появления заметной собственной проводимости. Падение проводимости с повышением температуры, выше 100 и ниже собственного диапазона, находится в области насыщения, т.е. концентрация носителей постоянна и равна Nd - Na. Причина падения заключается в температурной зависимости подвижности, в этом диапазоне температур, подвижность носителей уменьшается с ростом температуры из-за "решетки рассеяния". Увеличение теплового движения решетки приводит к более короткому расстоянию для носителей, чтобы перемещаться между столкновениями с решеткой, а также носители движутся быстрее при более высоких температурах, тем самым сокращая время между столкновениями; Эти факторы оба служат для уменьшения подвижности.

Теоретически это , как ожидается , при определенных предположениях, что в области решетчатого рассеяния подвижность должна идти как Т3 / 2. Экспериментальные результаты обычно дают несколько иной показатель.

Любой образец , который показывает небольшое изменение проводимости в широком диапазоне температур, вырождается, из - за высокой концентрации мышьяка, и

электронов проводимости, в данном образце. Поведение образцов р-типа, легированный бором, например, совершенно аналогично тому, как показано на материалах п-типа.

Решетка рассеяния упоминалось выше является одним из двух основных механизмов ,

которые ограничивают подвижность. При высоких концентрациях примесей, или при температурах , достаточно низких , так



что решетка рассеяния не преобладает, подвижность ограничена рассеянием на примесных центров. Ионизированные примеси гораздо более эффективными, чем нейтральные примеси. В области ионизованной примеси рассеяния, изменяется как T3 / 2