When an analog signal passes throug

When an analog signal passes through a diode operating at or near its forward breakover point, the signal waveform is distorted. This nonlinearity allows for modulation, demodulation, and signal mixing. In addition, signals are generated at harmonics, or integral multiples of the input frequency. Some diodes also have a characteristic that is imprecisely termed negative resistance. Diodes of this type, with the application of a voltage at the correct level and the polarity, generate analog signals at microwave radio frequencies.
Semiconductor diodes can be designed to produce direct current (DC) when visible light, infrared transmission (IR), or ultraviolet (UV) energy strikes them. These diodes are known as photovoltaic cells and are the basis for solar electric energy systems and photosensors. Yet another form of diode, commonly used in electronic and computer equipment, emits visible light or IR energy when current passes through it. Such a device is the familiar light-emitting diode (LED).
Most modern diodes are based on semiconductor p-n junctions. In a p-n diode, conventional current flows from the p-type side (the anode) to the n-type side (the cathode), but not in the opposite direction. Another type of semiconductor diode, the Schottky diode, is formed from the contact between a metal and a semiconductor rather than by a p-n junction.
A semiconductor diode's current-voltage, or I-V, characteristic curve is ascribed to the behavior of the so-called depletion layer or depletion zone which exists at the p-n junction between the differing semiconductors. When a p-n junction is first created, conduction band (mobile) electrons from the N-doped region diffuse into the P-doped region where there is a large population of holes (places for electrons in which no electron is present) with which the electrons "recombine." When a mobile electron recombines with a hole, the hole vanishes and the electron is no longer mobile. Thus, two charge carriers have vanished. The region around the p-n junction becomes depleted of charge carriers and, thus, behaves as an insulator.
However, the depletion width cannot grow without limit. For each electron-hole pair that recombines, a positively-charged dopant ion is left behind in the N-doped region, and a negatively charged dopant ion is left behind in the P-doped region. As

Результаты (русский) 1:

Когда аналоговый сигнал проходит через диод, работающих на или рядом с точкой вперед звеньевых, сигнала искажается. Это нелинейность позволяет модуляции, демодуляции и смешивания сигнала. Кроме того сигналы генерируются в гармоники, или составной кратные входной частоты. Некоторые диоды имеют характерно, что неточно называют отрицательным сопротивлением. Диоды этого типа, с приложением напряжения на правильном уровне и полярность, генерировать аналоговых сигналов на СВЧ радио. Полупроводниковые диоды могут быть разработаны для получения постоянного тока (DC), когда видимый свет, инфракрасному (ИК) или ультрафиолетового (УФ) энергии поражает их. Эти диоды называются фотоэлементов и являются основой для систем солнечной электрической энергии и фотодатчики. Но другая форма диод, широко используется в электронной и компьютерной техники, испускает видимый свет или ИК энергии, когда текущие проходит через него. Такое устройство является знаком светодиод (LED). Большинство современных диодов основаны на полупроводник p-n переходов. В p-n диод обычные ток от стороны p типа (анод) к стороне n типа (катод), но не в противоположном направлении. Другой тип полупроводниковый диод, диод Шоттки, образуется от контакта между металлом и полупроводников, а не p-n переход. Полупроводниковый диод ток напряжения или I-V, характеристика, что кривая приписывается поведение так называемого истощения слоя или истощение зоны, которая существует на p-n переход между разными полупроводников. При p-n переход электроны проводимости band (моб.) из региона N-легированный диффундировать в регионе P-легированный где большое количество отверстий (мест для электронов, в которых присутствует не электрона) с которой электроны «перекомбинировать.» Когда мобильный электрон рекомбинацию с отверстием, отверстие исчезает, и электрон больше не является мобильным. Таким образом исчезли два носителей заряда. Регион вокруг p-n переход становит обедненного носителей заряда и, таким образом, ведет себя как изолятор. Однако истощение ширина не может расти без ограничений. Для каждой пары электрон отверстия, что рекомбинацию положительно заряженных легирующего Ион остался в регионе N-легированный и отрицательно заряженных легирующего ion остался в регионе допированном P. Как

Результаты (русский) 2:

Когда аналоговый сигнал проходит через диод , работающий при или вблизи его передней точки отрыва, форма сигнала искажается. Эта нелинейность позволяет модуляцию, демодуляцию и смешивания сигналов. Кроме того, сигналы генерируются на гармониках, или целых кратных частоте входного сигнала. Некоторые диоды имеют характеристику, которая нечетко называют отрицательным сопротивлением. Диоды этого типа, с применением напряжения на допустимом уровне и полярности, генерируют аналоговые сигналы на частотах радиорелейные.
Полупроводниковые диоды могут быть предназначены для производства постоянного тока (DC) , когда видимый свет, инфракрасное передачи (ИК), или ультрафиолетового (УФ) энергии ударов их. Эти диоды известны как фотоэлектрические элементы и являются основой для солнечных электроэнергетических систем и фотодатчики. Еще одна форма диода, который обычно используется в электронной и компьютерной техники, излучает видимый свет или ИК энергию , когда ток проходит через него. Такое устройство знакомый светоизлучающий диод (LED).
Большинство современных диодов на основе полупроводниковых р - п переходов. В р - п - диода, обычный ток течет от р-типа (анод) к стороне п-типа (катода), но не в обратном направлении. Другой тип полупроводникового диода диода Шоттки, формируется из контакта между металлом и полупроводником , а не р - п - перехода.
Тока напряжения полупроводникового диода, или IV, характеристика приписывается поведение так называемого обедненный слой или истощение зона , которая существует на р - п - перехода между разными полупроводниками. Когда дырочный переход сначала создается, зоны проводимости (мобильный) электронов из N-легированной области диффундируют в область P-легированного , где имеется большая популяция дырок (места для электронов , в которых ни один электрон не присутствует) , с помощью которых электроны "рекомбинация" . Когда мобильный рекомбинирует электрон с дыркой, отверстие не исчезает , а электрон уже не мобильный. Таким образом, два носителей заряда исчезли. Область вокруг р - п перехода обедняется носителей заряда и, таким образом, ведет себя как изолятор.
Однако ширина истощение не может расти неограниченно. Для каждого электронно-дырочной пары , что рекомбинирует, положительно заряженный ион легирующей остается позади в N-легированной области, и отрицательно заряженный ион легирующей остается позади в области P-легированного. В виде