At each diffusion step in which n-t

At each diffusion step in which n-type or p-type regions are to be created in certain areas, the adjacent areas are protected by surface layer of silicon dioxide, which effectively blocks the passage of impurity atoms. This protective layer is created very simply by exposing the siJicon wafer at high temperatures to an oxidizing atmosphere. The silicon dioxide is then etched 33 away in conformity (в соответствии) with a sequence of masks that accurately delineates multiplicity of n-type and p-type regions.

Результаты (русский) 1:

На каждом шаге диффузии в котором типа n или p типа областей должны быть созданы в некоторых районах, прилегающие районы находятся под защитой поверхностного слоя диоксида кремния, который эффективно блокирует проход примесных атомов. Этот защитный слой создан очень просто подвергая siJicon пластин при высоких температурах в окислительной атмосфере. Диоксид кремния будет травлению 33 в соответствии (в соответствии) с последовательностью масок, точно разграничивает кратность типа n и p типа областей.

Результаты (русский) 2:

На каждом шаге диффузии, в котором п-типа или р-типа областей должны быть созданы в некоторых районах, прилегающих районах защищены поверхностным слоем диоксида кремния, который эффективно блокирует прохождение примесных атомов. Этот защитный слой создается очень просто, подвергая siJicon пластины при высоких температурах в окислительной атмосфере. Диоксид кремния затем протравливают 33 прочь в соответствии (в соответствии) с последовательностью масок, которые точно очерчивает множество п-типа и областей р-типа.

Результаты (русский) 3:

на каждом распространения этап, на котором n-type или p-type регионов будут созданы в некоторых районах, прилегающих к ней районах охраняются поверхностный слой диоксида кремния, который фактически блокирует принятие примеси атомов.это защитный слой создается очень просто показывая sijicon пластин при высоких температурах в окисляющей атмосферу.в диоксид кремния, тогда и 33 подальше в соответствии (в соответствии с последовательностью масок, которые точно очерчивает множество n-type и p-type регионов.