The fundamental property of a diode

The fundamental property of a diode is its tendency to conduct electric current in only one direction. When the cathode is negatively charged relative to the anode at a voltage greater than a certain minimum called forward breakover, then current flows through the diode. If the cathode is positive with respect to the anode, is at the same voltage as the anode, or is negative by an amount less than the forward breakover voltage, then the diode does not conduct current. This is a simplistic view, but is true for diodes operating as rectifiers, switches, and limiters. The forward breakover voltage is approximately six tenths of a volt (0.6 V) for silicon devices, 0.3 V for germanium devices, and 1 V for selenium devices.
The above general rule notwithstanding, if the cathode voltage is positive relative to the anode voltage by a great enough amount, the diode will conduct current. The voltage required to produce this phenomenon, known as the avalanche voltage, varies greatly depending on the nature of the semiconductor material from which the device is fabricated. The avalanche voltage can range from a few volts up to several hundred volts.
When an analog signal passes through a diode operating at or near its forward breakover point, the signal waveform is distorted. This nonlinearity allows for modulation, demodulation, and signal mixing. In addition, signals are generated at harmonics, or integral multiples of the input frequency. Some diodes also have a characteristic that is imprecisely termed negative resistance. Diodes of this type, with the application of a voltage at the correct level and the polarity, generate analog signals at microwave radio frequencies.
Semiconductor diodes can be designed to produce direct current (DC) when visible light, infrared transmission (IR), or ultraviolet (UV) energy strikes them. These diodes are known as photovoltaic cells and are the basis for solar electric energy systems and photosensors. Yet another form of diode, commonly used in electronic and computer equipment, emits visible light or IR energy when current passes through it. Such a device is the familiar light-emitting diode (LED).
Most modern diodes are based on semiconductor p-n junctions. In a p-n diode, conventional current flows from the p-type side (the anode) to the n-type side (the cathode), but not in the opposite direction. Another type of semiconductor diode, the Schottky diode, is formed from the contact between a metal and a semiconductor rather than by a p-n junction.
A semiconductor diode's current-voltage, or I-V, characteristic curve is ascribed to the behavior of the so-called depletion layer or depletion zone which exists at the p-n junction between the differing semiconductors. When a p-n junction is first created, conduction band (mobile) electrons from the N-doped region diffuse into the P-doped region where there is a large population of holes (places for electrons in which no electron is present) with which the electrons "recombine." When a mobile electron recombines with a hole, the hole vanishes and the electron is no longer mobile. Thus, two charge carriers have vanished. The region around the p-n junction becomes depleted of charge carriers and, thus, behaves as an insulator.
However, the depletion width cannot grow without limit. For each electron-hole pair that recombines, a positively-charged dopant ion is left behind in the N-doped region, and a negatively charged dopant ion is left behind in the P-doped region. As

Результаты (русский) 2:

Фундаментальное свойство диода является его тенденция проводить электрический ток только в одном направлении. Когда катод имеет отрицательный заряд по отношению к аноду , при напряжении больше определенного минимума называется вперед, то точка отрыва ток протекает через диод. Если катод является положительным по отношению к аноду, в то же напряжение анода, или отрицательно на величину меньше , чем напряжение вперед отрыва, то диод не проводит ток. Это упрощенное представление, но верно для диодов , работающих в качестве выпрямителей, переключателей и ограничителями. Вперед отрыва напряжение составляет примерно шесть десятых вольта (0,6 В) для кремниевых устройств, 0,3 В для германиевых устройств и 1 V для селеновых устройств.
Выше общего правила несмотря на это , если напряжение катода является положительным по отношению к напряжению анода достаточно большое количество, то диод будет проводить ток. Напряжение , которое необходимо для производства Это явление, известное как напряжение лавинного, в значительной степени зависит от характера полупроводникового материала , из которого изготавливают устройство. Напряжение лавинного может находиться в диапазоне от нескольких вольт до нескольких сотен вольт.
Когда аналоговый сигнал проходит через диод , работающий при или вблизи его передней точки отрыва, форма сигнала искажается. Эта нелинейность позволяет модуляцию, демодуляцию и смешивания сигналов. Кроме того, сигналы генерируются на гармониках, или целых кратных частоте входного сигнала. Некоторые диоды имеют характеристику, которая нечетко называют отрицательным сопротивлением. Диоды этого типа, с применением напряжения на допустимом уровне и полярности, генерируют аналоговые сигналы на частотах радиорелейные.
Полупроводниковые диоды могут быть предназначены для производства постоянного тока (DC) , когда видимый свет, инфракрасное передачи (ИК), или ультрафиолетового (УФ) энергии ударов их. Эти диоды известны как фотоэлектрические элементы и являются основой для солнечных электроэнергетических систем и фотодатчики. Еще одна форма диода, который обычно используется в электронной и компьютерной техники, излучает видимый свет или ИК энергию , когда ток проходит через него. Такое устройство знакомый светоизлучающий диод (LED).
Большинство современных диодов на основе полупроводниковых р - п переходов. В р - п - диода, обычный ток течет от р-типа (анод) к стороне п-типа (катода), но не в обратном направлении. Другой тип полупроводникового диода диода Шоттки, формируется из контакта между металлом и полупроводником , а не р - п - перехода.
Тока напряжения полупроводникового диода, или IV, характеристика приписывается поведение так называемого обедненный слой или истощение зона , которая существует на р - п - перехода между разными полупроводниками. Когда дырочный переход сначала создается, зоны проводимости (мобильный) электронов из N-легированной области диффундируют в область P-легированного , где имеется большая популяция дырок (места для электронов , в которых ни один электрон не присутствует) , с помощью которых электроны "рекомбинация" . Когда мобильный рекомбинирует электрон с дыркой, отверстие не исчезает , а электрон уже не мобильный. Таким образом, два носителей заряда исчезли. Область вокруг р - п перехода обедняется носителей заряда и, таким образом, ведет себя как изолятор.
Однако ширина истощение не может расти неограниченно. Для каждого электронно-дырочной пары , что рекомбинирует, положительно заряженный ион легирующей остается позади в N-легированной области, и отрицательно заряженный ион легирующей остается позади в области P-легированного. В виде

Результаты (русский) 3:

основным имуществом диод является тенденция проводить электрический ток только в одном направлении.когда катодом отрицательно заряженных по отношению к анод напряжение более определенного минимального "вперед breakover, то нынешние потоки через диод.если катодом позитивные с точки зрения анод, на том же напряжение в качестве анода, или отрицательный на сумму менее вперед breakover напряжение, то диод не проводит в настоящее время.это упрощенный взгляд, но и диодов действуют как выпрямителей, переключатели, и ограничители.вперед breakover напряжение примерно на шесть десятых один вольт (0,6 V) на кремний устройств, 0,3 V за германий устройств и 1 для селен устройств.несмотря на вышеупомянутые общие правила, если батареи напряжением позитивно по отношению к анодного напряжения на достаточно большую сумму, диод будет вести ток.напряжение, необходимых для производства этого явления, известного как лавина напряжение, значительно варьируется в зависимости от характера полупроводниковых материалов, на основании которых устройство является сфабрикованным.лавина напряжение может варьироваться от нескольких вольт до нескольких сотен вольт.когда аналоговый сигнал проходит через диод, действующих на или вблизи ее вперед breakover момент форме сигнала искажено.это nonlinearity позволяет модуляции, демодуляцию и сигнал смешивания.кроме того, сигналы генерируются в гармонии, или единой кратные входные частоты.некоторые диоды также характерный это неточно называют отрицательным сопротивлением.диоды этого типа, с применением напряжение на правильный уровень и полярности, генерировать аналоговые сигналы на микроволновой радиочастот.полупроводниковые диоды могут быть сконструированы таким образом, чтобы производить тока (DC), когда видимый свет, инфракрасный передачи (ик), или ультрафиолетового (уф) энергия поражает их.эти диоды известны как фотоэлементы и являются основой для солнечной электроэнергии систем и photosensors.еще одной формой диод, часто используется в электронного и компьютерного оборудования, излучает видимого света или ик - энергию, когда ток проходит через это.такое устройство является знаком светодиоды (сид).большинство современных диоды на основе полупроводниковых полупроводниковый перекрестки.в полупроводниковый диод, обычных текущих потоков из p-type стороне (анод) на n-type стороне (катод), но не в противоположном направлении.другой тип полупроводниковый диод, диод шоттки, формируется в результате контакта между металлическими и полупроводников, а не в полупроводниковый перекрестка.полупроводниковый диод в настоящее время напряжение или I - V, кривой характеристик объясняется поведение так называемого слоя Layer или истощение зоны, которая существует на стыке между различными полупроводниковый полупроводников.когда впервые создали полупроводниковый соединения, зона проводимости (мобильной) электроны в регионе внедряются в p-doped n-doped регионом, где существует значительное число отверстия (места для электронов, в котором электрон находится), с которой электроны "recombine." когда мобильный электронный воссоединяет с дыркой, дыра исчезает и электрон больше нет мобильного телефона.таким образом, два обвинения, перевозчики уже исчезли.регион вокруг полупроводниковый перекресток становится обедненный зарядки перевозчиков, и, таким образом, ведет себя в качестве утеплителя.тем не менее, истощение ширина не может развиваться без ограничений.для каждого дырка в паре воссоединяет, положительно заряженных ионов допант остался в n-doped региона, а также отрицательно заряженных ионов допант остался в p-doped региона.как